CAT24C64C4CTR 产品概述

一、产品简介

CAT24C64C4CTR 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款小尺寸、高可靠性的串行 EEPROM。器件通过 I2C 总线进行通信，容量为 64Kbit（8KB），支持最高 1MHz 时钟（Fast-mode Plus），工作电压范围宽（1.7V ～ 5.5V），适用于从超低功耗便携设备到工业级系统的非挥发性数据存储需求。

二、主要特性

• 存储容量：64Kbit（8KB）。
• 接口类型：I2C，总线兼容性强，最高支持 fc = 1MHz（Fast-mode Plus）。
• 工作电压：1.7V ～ 5.5V，适合多种系统电源轨。
• 写周期时间（Tw）：典型 5ms，写入后需等待器件内部写入完成或采用 ACK 轮询。
• 数据保持（TDR）：100 年（典型）。
• 写入寿命：可达 1,000,000 次写周期。
• 工作温度范围：-40℃ ～ +85℃。
• 封装：WLCSP-4（0.8 × 0.8 mm），极小封装，适合空间受限应用。

三、典型应用

• 配置与校准参数存储（传感器、音视频设备）。
• 引导/固件小量参数保存、序列号和识别信息。
• 可穿戴与移动设备中的用户设置保存。
• 工业与汽车电子中对小容量、高可靠性非易失性存储的需求场景。

四、设计与使用建议

• 拉高电阻：I2C 总线需外接上拉电阻，针对 1MHz 总线速率建议使用更小阻值以满足时序要求（根据系统电容选择合适阻值）。
• 电源管理：器件支持 1.7V 最低电压，但在设计时注意与 MCU 等其他器件的电平兼容性，并做好去耦（建议在 VCC 端并联电容以滤除噪声）。
• 写操作管理：写周期约为 5ms，连续写入时应避免在写入完成前再次发起写操作；可采用 ACK 轮询方式判断内部写周期结束以提高效率。
• 抗磨损策略：若频繁写入同一地址，建议在软件层实现磨损均衡与缓存策略以延长有效寿命，充分利用 1,000,000 次高耐久特性。
• PCB 与封装处理：WLCSP-4 为晶圆级封装，焊盘与回流工艺需严格遵循厂商推荐的焊盘设计与回流曲线，避免封装损伤。

五、封装与可靠性

WLCSP-4（0.8 × 0.8 mm）极小封装大幅减小 PCB 占用面积，适合空间受限产品。器件工作温度覆盖工业级范围（-40℃ 至 +85℃），并具备 100 年数据保持与百万次写入寿命，适合对数据长期保存与高可靠性有要求的应用。

六、选型与支持

在选型时，可根据容量、接口速率与封装尺寸确认 CAT24C64C4CTR 是否满足系统需求。对于 PCB 焊盘、回流工艺、以及 I2C 时序的详细推荐，请参考安森美提供的器件数据手册与应用说明以获得最佳实装与可靠性保障。若需进一步协助（如布局建议或软件驱动要点），建议联系供应商技术支持获取参考设计资料。