型号:

BSS138BKS

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:SOT-363
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BSS138BKS 产品实物图片
BSS138BKS 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 300mA
库存数量
库存:
2844
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.118
3000+
0.0931
产品参数
属性参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)410mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V;1.6Ω@4.5V
耗散功率(Pd)417mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)650pC@4.5V
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9.7pF

BSS138BKS 产品概述

一、产品简介

BSS138BKS 是 ElecSuper(静芯微)出品的一款双路 N 沟场效应管,封装为 SOT-363,面向体积受限、低功耗且对开关速度有一定要求的便携与消费类电子应用。器件具有较高的漏源耐压和低频时较低的导通损耗,适用于小功率开关、信号控制与电源管理场景。

二、主要参数(典型/标称)

  • 类型:双通道 N 沟 MOSFET(SOT-363)
  • 漏源电压 Vdss:60 V
  • 连续漏极电流 Id:410 mA
  • 导通电阻 RDS(on):1.5 Ω @ Vgs=10 V;1.6 Ω @ Vgs=4.5 V
  • 最大耗散功率 Pd:417 mW
  • 阈值电压 Vgs(th):1.0 V @ Id=250 μA
  • 总栅极电荷 Qg:650 pC @ Vgs=4.5 V
  • 输入电容 Ciss:25 pF;输出电容 Coss:9.7 pF;反向传输电容 Crss:2.2 pF
  • 工作温度范围:-50 ℃ 至 +150 ℃
  • 封装:SOT-363;品牌:ElecSuper(静芯微)

三、主要特点

  • 高耐压:60 V 漏源耐压,适用于高于常规逻辑电平的小功率开关场合。
  • 低导通电阻:在典型驱动电压下 RDS(on) 约 1.5–1.6 Ω,导通损耗可控,适合低电流应用。
  • 小型封装:SOT-363 适合 PCB 面积受限的便携设备与多通道集成设计。
  • 中等栅极电荷:Qg=650 pC,说明在高频开关时需考虑驱动能量与开关损耗。
  • 宽温度范围:-50 ℃ 到 +150 ℃,适合工业与汽车等级附近的环境使用(请参考实际可靠性认证)。

四、典型应用

  • 低功耗负载开关与隔离(便携仪表、传感器节点)
  • 小电流电源管理与反向保护
  • 电平转换与信号开关
  • 板载功率路径切换、充电/保护电路

五、使用与 PCB 布局建议

  • 热管理:SOT-363 散热能力有限,Pd=417 mW 为器件在特定 PCB 条件下的耗散上限。实际使用时要计算导通损耗(I^2·RDS(on))与开关损耗,并留有裕量。必要时增加铜箔面积以改善散热。
  • 驱动电路:Qg 较大,短脉冲或高频切换需设计合适的驱动能力以避免开关损耗和过热。若仅做低频或开/关应用,使用 MCU 直接驱动通常可行,但应限制开关频率与上升/下降时间。
  • 布局:尽量缩短信号回路,保持漏—源与去耦电容之间的回路最短;栅极走线应尽量短并加上阻尼电阻以抑制振铃;靠近器件放置旁路电容,减小寄生电感。
  • ESD 与保护:在暴露 IO 或外部接口处加适当的瞬态抑制与限流元件,保护栅极不被超压损坏。

六、注意事项与可靠性建议

  • 参数取决于测试条件(温度、驱动电压、PCB 热阻等),在设计前请以实际样片的器件数据和应用板进行验证。
  • 连续大电流工作下需关注结温上升对 RDS(on) 和可靠性的影响;在高温环境中要留有安全裕量。
  • 如用于关键应用(如汽车、安全相关),请确认器件是否具有相应的认证与长期可靠性数据。

若需我帮您基于目标电流、开关频率或 PCB 面积计算热耗与驱动要求,或生成示意连接与 PCB 布局建议图,请提供具体工作条件(工作电压、最大电流、开关频率、可用 PCB 铜箔面积等)。