PESD5V0L1BSF-N 产品概述

PESD5V0L1BSF-N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款双向瞬态电压抑制二极管（TVS），针对 5V 及附近电压的接口提供快速、可靠的浪涌与静电防护。器件采用超小型 DFN0603-2 封装，单通道设计，适合空间受限且对信号完整性有一定要求的消费及工业电子接口保护。

一、主要特性

• 极性：双向，适用于双向信号线（如数据线、差分对等）
• 额定反向截止电压 Vrwm：5V
• 击穿电压（典型）：5.5V
• 钳位电压（Ipp 条件）：约 13V（5A @ 8/20µs）
• 峰值脉冲电流 Ipp：5A @ 8/20µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：65W @ 8/20µs
• 反向/泄漏电流 Ir：≤100 nA（在 Vrwm 下）
• 结电容 Cj：约 10 pF，兼顾防护与信号完整性
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、IEC 61000-4-5（浪涌）

二、典型规格参数（摘要）

• 类型：瞬态抑制二极管（ESD/Surge）
• 通道数：单路（1 通道双向）
• 封装：DFN0603-2（小型 SMD）
• 适用电压等级：5V 系统（USB、I/O、控制线等）

三、典型应用场景

• USB、UART、I2C、SPI 等 5V 信号接口防护
• 工业控制与传感器接口的静电与浪涌抑制
• 消费类产品（显示器接口、摄像头模组、按键/触控线路）
• 任意需在空间受限环境内提供 IEC 级别电磁兼容防护的电路

四、使用与 PCB 布局建议

• 放置位置：尽可能靠近被保护的连接器或引脚，最短、最直的走线到 TVS。
• 地线处理：保证 TVS 的地焊盘到主地低阻低感连接，必要时增加过孔快速回流。
• 串联元件：若需进一步抑制浪涌，可在信号线上增加适度系列阻抗或共模磁珠，但注意对信号带宽影响。
• 焊接工艺：遵循 DFN0603 的回流温度曲线，避免超温或长时间回流。
• 热管理：在高脉冲能量环境下，合理分配散热路径与焊盘面积，避免单点过热。

五、封装与可靠性

DFN0603-2 提供极小占板面积，适合高密度 PCB 设计。器件已按 IEC 参考标准进行防护能力验证，适用于要求 IEC61000-4-2/4-4/4-5 级别的系统抗扰度设计。典型泄漏电流低、结电容适中，有利于在保持防护性能的同时兼顾信号完整性。

总结：PESD5V0L1BSF-N 是一款面向 5V 接口的高性价比双向 TVS，适合对空间、带宽和 EMC 要求兼顾的应用场景，推荐在需要 IEC 级 ESD/浪涌保护的设计中作为首选保护件。