型号:

TMI8113

品牌:TMI(拓尔微)
封装:SOT-23-6
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
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3000+
0.217
产品参数
属性参数值
峰值电流2A
工作电压1.6V~7.2V
导通电阻550mΩ
静态电流(Iq)100nA
工作温度-30℃~+85℃

TMI8113 产品概述

一、产品简介

TMI8113 是拓尔微(TMI)推出的一款低静态电流微功耗电源开关器件,采用 SOT-23-6 小封装,面向便携式与电池供电系统的电源管理场景。器件支持 1.6V 至 7.2V 宽工作电压范围,峰值电流可达 2A,适合做负载开关、软启动或保护电路中的高侧/低侧通断元件。

二、主要性能特点

  • 工作电压:1.6V ~ 7.2V,兼容单节锂电、3.3V/5V 等常见电源轨。
  • 峰值电流:2A,满足瞬态大电流需求。
  • 导通电阻(Rds(on)):550 mΩ(典型),在中低电流场合有良好效率。
  • 静态电流(Iq):100 nA,极低的待机损耗,适合长待机/低功耗设计。
  • 工作温度:-30 ℃ ~ +85 ℃。
  • 封装:SOT-23-6,体积小,便于空间受限应用。

三、电气参数解读与设计要点

  • Rds(on)=550 mΩ 表明在高电流下会产生明显功耗与发热。理论上 2A 峰值时耗散约为 P = I^2·R ≈ 2.2W(短时允许),因此 2A 为瞬态峰值,应避免长期持续;对连续负载推荐将额定电流控制在 0.3–0.8A 区间,具体取决于 PCB 散热条件。
  • 100 nA 的静态电流非常适合电池供电设备,可以最大限度降低待机电耗。
  • 宽输入电压允许器件直接工作在常见单节锂电(3.0–4.2V)、3.3V 或 5V 轨,便于系统集成。

四、封装与热管理建议

  • SOT-23-6 小封装便于高密度板级布局,但散热能力有限。推荐采用较大的铜箔填充或底层过孔散热以降低结到环境温升。
  • 在需要承受较高连续电流时,应进行热仿真或实测,必要时增加外部散热通道或选择导通电阻更低的替代器件。

五、典型应用场景

  • 手机与可穿戴设备的电源管理/负载开关;
  • 便携式医疗仪器与手持终端的电池保护与电源切换;
  • 物联网节点、遥控器等长待机设备的电源隔离与上电控制;
  • USB/外设供电序列化、软启动与短路保护(配合外部限流或熔断设计)。

六、选型与替代建议

  • 需更低导通损耗或更高持续电流时,建议选择 Rds(on) 更低、封装散热更好的 MOSFET 或高侧开关。
  • 若主要关注极低静态电流与小封装,TMI8113 在多数电池供电待机场景具有优势。

七、使用注意事项

  • 对于有较大浪涌电流的负载(如电机或大电容冲击),应加限流或软启动电路以防器件过热或损坏。
  • 布线时应尽量缩短高电流回路,引入旁路电容靠近器件以抑制电压尖峰并改善瞬态能力。
  • 在高温或封装受限环境中,应按厂方数据手册进行热降额设计。

总结:TMI8113 在低静态电流与小封装需求的电源管理场景中具有良好竞争力。设计时需关注导通损耗与散热约束,合理限定连续负载电流,以发挥其低待机、高集成的优势。