型号:

TIP127

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-126-3
批次:25+
包装:袋装
重量:-
其他:
-
TIP127 产品实物图片
TIP127 一小时发货
描述:达林顿管 TIP127 TO-220
库存数量
库存:
170
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:200
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.97416
200+
0.8694
产品参数
属性参数值
类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)1000
耗散功率(Pd)2W
集电极电流(Ic)5A
集电极截止电流(Icbo)200uA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

TIP127(PNP 达林顿晶体管)产品概述

一、概述

TIP127 为 PNP 型达林顿晶体管,具有极高的直流电流增益(hFE ≈1000),适用于需要小驱动电流却要控制较大负载电流的场合。根据提供参数,本器件集射极击穿电压 Vceo 为 100V,最大集电极电流 Ic 为 5A,功耗 Pd 为 2W,集电极漏电流(Icbo)约 200µA,射基极击穿电压 Vebo 为 5V,工作温度范围 -55℃~+150℃。品牌为 CJ(江苏长电/长晶),封装信息标注为 TO-126-3;描述处也出现 TO-220 字样,请以实际物料或供应商数据手册为准,封装差异会显著影响散热能力与最大耗散。

二、主要参数释义及设计影响

  • Vceo = 100V:适合中高电压场合,但应避免超过额定反向电压。
  • Ic = 5A:短时或受限散热下可达此电流,但在低压降条件下持续大电流会产生大量耗散。
  • Pd = 2W:表示在指定散热条件下的总功耗上限,封装(TO-126-3)热阻较高,实际应用常需降额或散热措施。
  • hFE ≈1000:高增益便于驱动,单个小电流可控制较大电流,但达林顿结构导致饱和压较高。
  • Icbo ≈200µA:静态漏电偏大时需考虑关断状态的漏电流对系统的影响。
  • Vebo = 5V:基极-发射极反向电压限制,注意避免反向应力导致损坏。

三、特性与优缺点

优点:高电流增益、适合做高侧驱动或放大器级、驱动器所需基极电流极小。
缺点:达林顿结构引起的较高饱和压与较慢开关速度;在大电流下功耗集中,易产生热失控;较高的漏电流在某些低功耗应用不理想。

四、典型应用场景

  • 继电器、继电器驱动与电磁阀驱动(高侧或低侧,视电路而定)。
  • 小功率电机驱动、步进电机放大级(配合限流与保护)。
  • 线性放大器与音频前级(需考虑线性失真与热稳定)。
  • 受限功率的开关电路、灯光驱动、负载开关等。

五、散热与使用注意

  • 按 P = VCE × Ic 计算功耗,2W 的耗散限制意味着在实际工作中必须控制 VCE 或采用足够散热(散热片、PCB铜箔、强制风冷)。
  • 若封装为 TO-126-3,热阻较大,5A 连续工作通常不可行;若确需大电流,建议选择 TO-220 或外部散热方案。
  • 对感性负载务必并联续流二极管或 RC 抑制,避免基极/发射极承受反向尖峰。
  • 建议在基极并接适当阻值泄放电阻以控制基极开路时的漏电与延迟,必要时加保护二极管防止 Vebo 超限。

六、选型与替代建议

如需更低导通压降或更高效率,建议优先考虑功率 MOSFET;若继续使用达林顿结构,应核对实际封装的热性能与电流能力,并在电路中加入限流、热保护。购买前务必索取 CJ 的完整数据手册,确认封装、额定值与典型特性曲线。

总结:TIP127 属高增益 PNP 达林顿,适合以小驱动电流驱动中等负载的场合,但受限于饱和压与封装热能力,设计时需重点考虑功耗与散热管理。