ESN21307 — 30V P沟道功率MOSFET 产品概述

一、产品概述

ESN21307是静芯微（ElecSuper）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，适用于30V电平的高侧开关与反向保护场合。器件在PDFN5x6-8L小型封装内提供优异的导通性能与热稳定性，适合需要紧凑布局与较大电流能力的电源和负载切换应用。

二、主要电气参数

• 漏源耐压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：45A（器件额定）
• 导通电阻 RDS(on)：8.5mΩ @ |Vgs|=10V；12.5mΩ @ |Vgs|=4.5V
• 最大耗散功率 Pd：38W
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5V @ 250μA
• 总栅电荷 Qg：36nC @ 10V
• 输入电容 Ciss：1.98nF；反向传输电容 Crss：260pF；输出电容 Coss：335pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：PDFN5x6-8L

三、关键特性与优势

• 低导通电阻，在典型驱动电压下提供极低的导通损耗，适合大电流高效传输。
• 中等栅电荷（36nC），在开关速度与驱动功率之间取得平衡，便于使用常规驱动器控制。
• 小型PDFN封装利于高密度电路设计，同时配合良好散热设计可满足38W功耗要求。
• 宽工作温度和稳健的寄生电容特性，有利于各种工业与消费类环境的可靠运行。

四、典型应用场景

• 电池供电系统中的高侧保护与断开（P沟道便于无需升压驱动）
• 便携设备的电源路径选择及反向保护
• 电源管理模块（PMIC）、DC-DC转换器的同步开关或旁路开关
• 车载电子低压域（需按车规级要求再验证）

五、封装与热管理建议

PDFN5x6-8L封装要求在PCB设计中保留完整的焊盘与散热铜箔，建议：

• 在底部焊盘下方安排多孔过孔与热盲孔，垂直导出热量至内层或下层大面积铜箔。
• 在高功耗应用中考虑器件附近留出足够铜箔面积以降低结-壳温升，并根据Pd和环境温度做额定电流降额处理。
• 使用合适的回流与焊接工艺以保证焊点可靠性。

六、设计与使用要点

• 作为P沟道器件，栅源电压为负值时导通；要注意栅驱电平与源端电平的关系，确保在目标工作点提供足够的|Vgs|以获得标称RDS(on)。
• 由于Qg较大，短脉冲或高速开关时需选用能提供相应驱动电流的驱动器或合适的栅阻，以平衡开关损耗与电磁干扰。
• 布局上尽量缩短电源回流环路，靠近器件放置去耦电容，减少寄生电感引起的过冲或振荡。
• 在并联使用多片器件时留意Vgs一致性与电流分享，采用匹配的走线与热布局有助于均流。
• 在进行热仿真与可靠性评估时，参考器件在不同散热条件下的Pd与结温曲线并适当降额。

七、结论

ESN21307凭借30V耐压、低RDS(on)与中等栅电荷特性，适合要求高侧开关、反向保护和功率路径控制的应用。合理的PCB热设计与恰当的栅驱方式可发挥其在效率与可靠性方面的优势。选型时请参考厂商完整数据手册以获取详细SOA、最大栅源电压及测试条件等信息。