2N7002BK 产品概述

一、概述

2N7002BK 为 ElecSuper（静芯微）出品的一款小信号 N 沟道增强型 MOSFET，单管 SOT-23 封装，适合低电流、开关与信号控制场合。该器件耐压 60V，连续漏极电流标称 300mA，具有低栅极电荷和小输入电容，便于高速开关且易于与逻辑电平直接驱动。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单个）
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：300mA
• 导通电阻 RDS(on)：1.85Ω @ Vgs=10V；2.05Ω @ Vgs=4.5V
• 耗散功率 Pd：350mW
• 阈值电压 Vgs(th)：1.6V @ ID=250µA
• 总栅极电荷 Qg：1.8nC @ Vgs=4.5V
• 输入电容 Ciss：28pF；输出电容 Coss：11pF；反向传输电容 Crss：4pF @25V
• 工作结温度：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23

三、特点与优点

• 耐压 60V，适用高压侧小功率开关场景；
• 低栅极电荷（1.8nC），开关损耗小，能满足频繁切换的应用；
• 小尺寸 SOT-23 封装，适合空间受限的消费类与工业电子产品；
• 低输入、电容值有利于降低驱动负荷与寄生耦合。

四、典型应用

• MCU 驱动的低功耗开关（LED、微型继电器、小电机驱动的门控制）；
• 电平转换与信号开关；
• 电池供电设备的断电管理与负载切换；
• 通信设备与传感前端的保护或开关阵列。

五、使用建议与注意事项

• 虽然 Id 标称 300mA，但 SOT-23 的耗散功率仅 350mW，连续大电流使用需注意结温与 PCB 散热。举例：若 Vgs=4.5V 且 RDS(on)≈2Ω，300mA 时损耗约 0.18W（I^2·R），实际应综合考虑 Vds 和环境温度后评估；高电流或高频开关应降载或加散热措施。
• Vgs(th) 约 1.6V，但在此栅压下并不能保证低阻态，建议至少以 4.5V 驱动以获得接近数据表的 RDS(on)；若要求更低导通阻，请使用更高 Vgs 或选择低 RDS(on) 型号。
• 对于感性负载，建议在漏极侧并联续流二极管或 RC 抑制，避免器件承受高压冲击。
• 布局上尽量缩短源极与地、漏极与负载的走线，必要时在接地处使用较大铜面以改善热散。

六、可靠性与封装

SOT-23 封装利于自动贴装与批量生产，但热阻相对较大。器件的工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），适应多种工业与消费场景。为确保长期可靠性，应避免持续超额发热与频繁处于边界工作点。

总结：2N7002BK 以耐压高、栅极电荷小、封装小巧为主要优势，适合各类小功率开关与信号控制应用。选型时请结合实际工作电流、开关频率与 PCB 散热条件进行热压降评估。