型号:

SMBJP6KE200A-TP

品牌:MCC(美微科)
封装:SMB
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMBJP6KE200A-TP 产品实物图片
SMBJP6KE200A-TP 一小时发货
描述:TVS DIODE 171V 274V
库存数量
库存:
1736
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.237
3000+
0.21
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)171V
钳位电压274V
峰值脉冲电流(Ipp)2.2A
峰值脉冲功率(Ppp)600W
击穿电压190V
反向电流(Ir)1uA
类型TVS

SMBJP6KE200A-TP 产品概述

一、产品简介

SMBJP6KE200A-TP 是美微科(MCC)推出的一款单向瞬态电压抑制二极管(TVS),采用 SMB 封装设计,专为保护电子线路免受瞬态过电压冲击(如雷击浪涌、开关感应过压、ESD 放电等)而设计。该器件在正常工作电压下呈高阻态,在超限瞬态冲击时迅速进入导通状态,将能量钳位至安全水平,从而保护下游器件免受损伤。

二、主要规格参数

  • 极性:单向(Unidirectional)
  • 反向截止电压 Vrwm:171 V
  • 击穿电压(典型):190 V
  • 钳位电压 Vc(峰值冲击时):274 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:2.2 A
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(标称脉冲测试条件下)
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(常温)
  • 类型:TVS 二极管
  • 封装:SMB(表面贴装,适合中等功率应用)
  • 品牌:MCC(美微科)

三、关键特性与优势

  • 高效钳位:在峰值冲击时钳位电压为 274 V,能在短时间内将浪涌能量限制在较低电平,保护敏感器件。
  • 中等功率承受能力:600 W 峰值功率及 2.2 A 峰值脉冲电流,适合对中等幅值瞬态进行抑制。
  • 低漏电流:1 μA 的反向漏电流有利于高阻抗电路及低功耗系统的稳定运行。
  • 单向结构:对直流偏置系统(如电源轨保护)更为合适,响应迅速、导通电阻低。
  • SMB 封装:良好的散热性与稳固的机械强度,适合自动贴装与回流焊工艺。

四、典型应用场景

  • 工业电源、逆变器及中高压直流母线的浪涌保护。
  • 通讯设备、电力接口及直流配电系统的过压抑制。
  • 逆变器、太阳能逆变/配电设备及充电桩的输入/输出保护。
  • 需要对稳压器、DC-DC 模块或敏感半导体器件提供额外瞬态保护的场合。

五、封装与布局建议

  • SMB 封装便于 PCB 自动化贴装,建议将 TVS 尽量靠近被保护端口或连接器布置,以缩短到地(或电源)回路的寄生电感。
  • 为获得最佳抑制效果,地线应使用低阻抗、短且宽的走线;若条件允许,增加多层地平面以改善散热与回流路径。
  • 在高能量应用中,考虑在接近 TVS 的位置设置熔断器或阻流元件以限制通过器件的能量并提高系统可靠性。

六、使用建议与注意事项

  • 选型原则:工作电压应低于 Vrwm,并留有安全裕度;若系统工作电压接近 Vrwm,建议上一级选择更高规格或采用双级防护。
  • 热管理:在频繁或大能量冲击场景下注意器件的温升与热应力,必要时采用散热铜箔或外部散热装置。
  • 焊接要求:遵循 SMB 封装的回流焊工艺规范,避免长时间高温或重复加热以防止元件损伤。
  • 测试验证:在最终系统中进行实际浪涌测试(如 IEC 61000-4-5)与 ESD 测试(IEC 61000-4-2),验证保护效果及可靠性。

七、可靠性与储存

  • 储存时应避免潮湿、强光及高温环境,推荐按电子元件防潮等级管理,如为贴片盘带产品应在封装干燥条件下保存并在规定时间内回流焊接使用。
  • 出厂前经过静电与制造测试以保证参数一致性;在设计中应考虑长期运行下的漏电流漂移与钳位电压变化,预留维护或更换窗口。

结束语:SMBJP6KE200A-TP 以其单向抑制特性、600 W 峰值功率和 SMB 封装,适合中高压直流系统及需要稳健浪涌保护的工业应用。在选择与布局时依据工作电压、能量等级与热管理需求进行匹配,可有效提升系统抗干扰与长期可靠性。若需更详细的波形测试条件或封装尺寸图纸,建议索取厂方数据手册。