BSS138DW 双通道 N 沟道场效应晶体管 产品概述

一、概述

BSS138DW 是扬杰（YANGJIE）出品的双通道 N 沟道增强型场效应晶体管，封装为 SOT-363（六引脚小封装），在宽温区间工作温度为 -55℃ 至 +150℃。器件集成两路 N 沟道 MOSFET，适合对空间、功耗和成本有要求的便携式和消费类电子应用。其低导通电阻和较小的寄生电容使其在低电压、小电流场合具有良好表现。

二、主要电气参数（摘要）

• 漏源电压 Vdss：50 V
• 导通电阻 RDS(on)：3 Ω @ Vgs = 4.5 V（Id = 200 mA）
• 连续漏极电流 Id：340 mA
• 阈值电压 Vgs(th)：1.6 V
• 耗散功率 Pd：350 mW
• 栅极电荷量 Qg：1.7 nC @ 10 V
• 输出电容 Coss：2.7 pF
• 输入电容 Ciss：28.5 pF @ 25 V
• 反向传输电容 Crss：1.78 pF @ 25 V
• 类型：N 沟道，数量：2 个

三、产品特点

• 双通道集成，节省 PCB 面积并简化布局与驱动；
• 适用于低电压驱动场景，Vgs 阈值约 1.6 V，4.5 V 驱动下导通良好；
• 较低的输入/输出寄生电容（Ciss、Coss、Crss）与较小的栅电荷（Qg），有利于降低开关损耗与驱动能耗；
• 小型 SOT-363 封装，便于高密度布板，但对散热要求需注意。

四、典型应用

• 低功耗电源开关与负载控制；
• 电平移位（level shifting）与电平转换接口；
• 手持设备、传感器模块与便携式控制电路；
• 小电流开关、通断控制和保护电路。

五、设计与使用建议

• SOT-363 为小封装，器件耗散功率 Pd 为 350 mW，在设计时应保证足够的 PCB 散热铜箔面积以降低结到环境的热阻；
• 在驱动选择上，若使用 4.5 V 驱动可达到标称 RDS(on)，对于更低损耗要求可提高驱动电压，但需遵循器件最大栅源电压限制；
• 由于器件适合小电流应用，建议在工作电流接近或超过额定值时评估温升与长期可靠性；
• 布局时将与器件热流相关的铜箔与过孔优化，以改善散热；同时注意最小化栅极走线长度以降低寄生感性与干扰。

六、封装与采购信息

• 封装：SOT-363（小型表贴封装）；
• 品牌：扬杰（YANGJIE）；型号：BSS138DW；
• 适合批量装配的贴片生产线，入板后请注意防静电和焊接曲线控制以防封装损伤。

如需基于此器件的参考电路、PCB 尺寸建议或热仿真支持，可提供具体工作条件与应用场景以便给出更精确的设计建议。