LMV358M/TR 产品概述 — HGSEMI(华冠)

一、产品简介

LMV358M/TR 是华冠（HGSEMI）出品的双通道低功耗运算放大器，采用 SOP-8 封装，专为低电压、低功耗和轨到轨信号处理设计。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出，单电源工作电压范围宽（2.1V～5.5V），同时也可在对称双电源条件下使用，适合便携式设备、传感器接口及低功耗模拟前端应用。

二、主要特性

• 双路运算放大器（一颗芯片含两路）
• 最大电源宽度 (Vdd–Vss)：5.5V
• 轨到轨输入、轨到轨输出，适合低电压单电源系统
• 增益带宽积 (GBP)：1 MHz，适用于低频到中频精密放大
• 压摆率 (SR)：600 V/ms（等于 0.6 V/µs），满足一般信号瞬态响应需求
• 输入失调电压 (Vos)：典型 3.5 mV，温漂 (Vos TC)：2.7 µV/℃，便于温度稳定性控制
• 输入偏置电流 (Ib)：1 pA，输入失调电流 (Ios)：1 pA（典型），适合高阻抗传感器
• 噪声密度：27 nV/√Hz @1 kHz，低噪声特性利于精密信号处理
• 共模抑制比 (CMRR)：70 dB
• 静态电流 (Iq)：40 µA / 通道，适合电池供电设备
• 输出电流能力：30 mA（短时驱动小负载）
• 工作温度范围：-40 ℃ ～ +125 ℃
• 封装：SOP-8

三、关键参数说明与设计要点

• 电源和工作电压：器件最大电源差为 5.5 V；单电源工作时通常在 2.1 V 至 5.5 V 范围内。双电源时，每边电源幅度要求见器件手册（对称供电时两边幅值合计不超过最大电源宽度）。
• 带宽与增益：1 MHz 的 GBP 表明在闭环增益为 1 时可获得约 1 MHz 带宽，若设计较高闭环增益，带宽会相应下降。适合低通滤波、缓冲和低速运算放大场合。
• 稳定性与瞬态：压摆率 600 V/ms（0.6 V/µs），可应对常见的低频脉冲与缓慢边沿，但对于高速驱动或高频精细波形需要评估是否满足要求。
• 输入与噪声：极低的输入偏置电流（1 pA）适合直接连接高阻传感器（如电化学、静电或高阻抗分压），噪声 27 nV/√Hz @1 kHz 在多数精密前端应用中表现良好。
• 输出驱动：30 mA 的输出驱动能力可驱动小功率负载或作为缓冲，但连续大电流输出会增加功耗与发热，应注意热管理与保护。

四、典型应用场景

• 传感器信号调理：高阻传感器的缓冲与放大（温度传感、光电、压力等）
• 便携式与电池供电设备：低静态电流与低压轨到轨使其在电池系统中表现突出
• 精密缓冲/驱动：ADC 前端缓冲、采样保持前置放大
• 低通/带通有源滤波器：音频前端及慢速模拟信号滤波
• 通用运算放大功能：积分、比较（非严格比较器用途）、信号叠加等

五、使用建议与注意事项

• 电源去耦：为保证稳定性与噪声性能，器件电源引脚附近应放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容，必要时增加 1 µF 以上电解或钽电容。
• 输入保护：尽管支持轨到轨输入，但超出共模范围可能导致内部结构工作异常，应避免输入超出电源范围；若存在可能的过压或输入反向电流，建议加保护二极管或限流电阻。
• 布局与接地：模拟地应尽量平滑、短回路，敏感输入引线尽量短，避免与大电流回路并行以减小干扰。
• 热与过流保护：在驱动接近 30 mA 输出负载时注意功耗与封装温升，必要时限制瞬时电流或增加散热。
• 幅度与带宽权衡：设计闭环增益时应权衡所需增益与带宽，避免在高增益下出现相位裕度不足导致振荡。

六、封装与可靠性

• 封装形式：SOP-8，适合常规的 PCB SMT 组装流程
• 工作温度：器件可在 -40 ℃ 至 +125 ℃ 工业级温度范围内稳定工作，适合工业级应用场景

总结：LMV358M/TR 兼具低功耗、轨到轨输入/输出与极低输入偏置电流，适用于电池供电及高阻抗信号处理场合。在应用时注意供电去耦、输入保护和闭环带宽的匹配，可作为多种模拟前端电路的可靠选择。若需更详细的电气特性曲线、典型应用电路或引脚定义，请参阅厂商数据手册。