ULN2003ALM/TR 产品概述 — HGSEMI（华冠）

一、产品简介

ULN2003ALM/TR 是华冠（HGSEMI）推出的七路达林顿晶体管阵列，集射极击穿电压（Vceo）为 50V，每一路集电极电流最大可达 500mA。器件集成了基极限流电阻，适合直接与低电压逻辑（如 MCU、TTL/CMOS）驱动接口，采用 SOP-16 封装，TR 表示卷盘包装（Tape & Reel），便于贴片自动化装配。工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

二、主要性能参数

• 通道数：7 路达林顿晶体管
• 集射极击穿电压（Vceo）：50V
• 集电极电流（Ic，单路最大）：500mA
• 最大输入电压（VI）：30V
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃
• 封装：SOP-16（贴片，TR 为卷装供料）

三、功能特点

• 七路并行独立驱动，便于一次性控制多路负载。
• 内置基极限流电阻，输入端可直接连接微控制器输出，无需外部限流器件。
• 对感性负载（继电器线圈、步进电机、阀等）建议配合续流二极管或使用带公共续流管脚的版本，以抑制反向电压尖峰。
• 标准工业温度范围，适合常见嵌入式与工业控制场景。
• SOP-16 封装兼顾可焊性与散热面积，适合表面贴装生产。

四、典型应用场景

• 继电器、继电器阵列驱动。
• 步进电机、直流电机驱动与分段控制。
• 阀门、执行器、舵机等系统的开关控制。
• 指示灯组、LED 矩阵的高电流驱动。
• 与单片机、PLC、工业控制器的电平隔离与电流放大接口。

五、使用建议与注意事项

• 单路连续电流不得超过 500mA，若需更大电流应采用并联多通道并注意电流均分与散热。
• 为保护达林顿对感性负载的高反向电压，若器件本身未集成共阳续流二极管，应在负载侧并联续流二极管或在电源侧采用吸收元件。
• PCB 布局时应保证集电极走线短且粗，必要时增加散热铜箔和过孔以改善导热。
• 输入端与逻辑地之间应有合适的旁路电容和去耦设计，避免瞬态干扰引起误触发。
• 在高占空或高电流工况下注意器件结温，必要时评估散热片或风冷措施。

六、封装与采购信息

• 封装形式：SOP-16，适配常见贴片生产工艺。
• 供货形式：TR（Tape & Reel），便于 SMT 线上贴片与回流焊流程。
• 品牌：HGSEMI（华冠），建议向官方与授权分销渠道获取器件以保证品质与一致性。

ULN2003ALM/TR 以其集成化、驱动能力强和易于与逻辑电平直接接口的特点，适合多路中低压大电流负载控制的场景。在设计时结合热管理与抑制反向尖峰的措施，可获得可靠稳定的驱动性能。若需详细电气特性曲线和典型应用电路，建议参考厂商完整数据手册或联系华冠技术支持获取应用指导。