2SB649AD-C 产品概述

一、概述

2SB649AD-C 是 BLUE ROCKET 出品的一款通用型 PNP 功率晶体管，采用 TO-252（DPAK）封装。器件针对中等电压、中等电流的开关与线性放大场合设计，具有较高的集射击穿电压和良好的增益特性，适合在电源、驱动与信号放大电路中作为高侧开关或补偿对管使用。

二、主要参数

• 晶体管类型：PNP
• 最大集电极电流 Ic：1.5 A
• 集—射击穿电压 Vceo：160 V
• 集—基击穿电压 Vcbo：180 V
• 发—基击穿电压 Vebo：5 V
• 功耗 Pd（封装极限）：1 W
• 直流电流增益 hFE：100（测试条件：Ic = 150 mA，VCE = 5 V）
• 特征频率 fT：140 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：10 μA
• 集—射极饱和电压 VCE(sat)：1 V（测试点：500 mA、50 mA）
• 封装：TO-252（DPAK）
• 数量：1 个（单只器件）

三、产品特点

• 高电压承受能力：Vceo = 160 V，适合中高电压场合的高侧开关或放大器。
• 良好增益与频率特性：hFE 在 150 mA 时约 100，fT 达 140 MHz，利于宽带放大与快速开关。
• 低漏电：Icbo 典型值 10 μA，有利于低静态损耗的电路设计。
• 标准封装：TO-252 便于表面贴装，利于散热与自动化装配。

四、典型应用

• 高侧开关与电源管理电路（DC-DC、线性稳压器的旁路/限制电路）
• 音频小功率放大器的 PNP 端（与对应 NPN 组成互补对）
• 继电器/小电机驱动（中等电流场合）
• 通用放大与驱动模块、信号级放大

五、设计与使用建议

• 散热管理：器件功耗 Pd 标称为 1 W，实际应用中应关注 PCB 铜箔散热与散热垫设计，必要时并联散热或选用更大散热能力的封装。
• 偏置与驱动：发—基击穿电压 Vebo = 5 V，注意基极电压不要超过该极限；基极驱动电流应匹配 hFE，在开关场合需预留充足基极驱动以保证快速饱和。
• 饱和压注意：VCE(sat) 在 500 mA 条件可达 ~1 V，开关损耗在较大电流下不容忽视，设计时需评估功耗与效率。
• 温度与工作点：请依照实际电路工作温度调整安全裕度，避免长期在极限参数下运行。

六、封装与可靠性

TO-252（DPAK）封装适合表面贴装工艺，装配时应遵守焊接条件与温度曲线规范以保证可靠性。器件应避免长期暴露在高湿、高温或腐蚀性气体环境，存储和锡焊建议遵循行业标准流程。

七、选型与订购信息

型号：2SB649AD-C
品牌：BLUE ROCKET
封装：TO-252（DPAK）
备注：单只供应，适用于需要中等电压和中等电流能力的通用设计。选型时若需更高功率或更低饱和压，可考虑更大封装或并联使用并做好热设计。

如需完整曲线（温度特性、典型输入输出特性曲线、SOA）和封装机械尺寸，请参考 BLUE ROCKET 的详细数据手册或向供应商索取应用说明文件。