2SC4213-B (TE85L, F) 产品概述

一、主要参数

• 晶体管类型：NPN 双极型晶体管（BJT）
• 集电极电流 Ic：300 mA（最大）
• 集射极击穿电压 Vceo：20 V
• 最大耗散功率 Pd：100 mW
• 直流电流增益 hFE：200（在 Ic=4 mA、VCE=2 V 条件下）
• 特征频率 fT：30 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：约 100 mV（典型饱和条件）
• 射基极击穿电压 Vebo：25 V
• 品牌：TOSHIBA（东芝）
• 封装：SC-70（小型表面贴装封装）

二、特性与性能分析

2SC4213-B 为低功耗、小体积的 NPN 小信号晶体管。高 hFE（在低电流工作点上可达 200）意味着在小基极电流下可获得较大的集电极电流放大，适合做驱动级或电流放大用途。fT≈30 MHz 表明其适用于音频及中低频放大或开关应用，但不适合高频 RF 放大（VHF 以上）。低 Icbo（100 nA）表示漏电流小，低噪声电路和电池供电设备更易保持静态电流低。

三、封装与热设计

SC-70 为超小型 SMD 封装，适合空间受限的便携设备与消费电子。需注意其 Pd 仅 100 mW，热容量有限。实际工作时应计算 VCE×Ic 不超过 Pd，并留有安全裕量。例如在饱和导通（VCE≈0.1 V）且 Ic 较小时，耗散较小；但若 VCE 为数伏、Ic 数十毫安时，耗散可能迅速超过额定值。建议在电路设计中避免长时间在高 VCE×Ic 条件下工作，必要时采用并联或更高功率器件。

四、典型应用

• 小信号开关与驱动（例如驱动继电器前置级、LED 驱动）
• 低功耗放大器（前置放大、音频前级）
• 电池供电设备中的信号放大与开关控制
• 消费类电子与便携仪器中的通用放大/切换元件

五、使用建议与注意事项

• 利用其高 hFE，可在基极限流的情况下实现较小驱动电流，但在逼近饱和区时要给予足够基极电流以降低 VCE(sat)。
• 设计时优先保证 Pd 安全：Pd ≥ VCE×Ic（含热阻与环境温度影响）并留裕量。
• Vceo=20 V 与 Vebo=25 V 提醒不要在高电压脉冲或反向基极电压下超过极限，以防击穿。
• SC-70 封装在回流焊接时需遵循厂商温度曲线与防静电措施，避免过热与 ESD 损伤。
• 若在高频或高电流场合使用，应评估 hFE 的随电流衰减及 fT 限制，必要时采用补偿或更高规格器件。

总结：2SC4213-B 是一枚面向低功耗、小尺寸应用的 NPN 小信号晶体管，适合便携式与消费电子中的放大与开关场景。在设计中重点考虑其 100 mW 的耗散限制与 20 V 的电压极限，合理偏置与散热安排可发挥其高增益与低饱和压的优点。