FCR951 产品概述 — 国芯佳品（SOT-23，一只装）

一、器件概述

FCR951 为一款通用 NPN 双极型晶体管，适用于小信号放大与开关场合。典型封装为 SOT-23，单颗供应（数量：1个NPN）。器件设计侧重高直流增益与较高的特征频率，适合对增益和频率响应有一定要求的便携类与通信类电路。

二、主要电气参数

• 类型：NPN
• 最大集电极电流 Ic：100 mA
• 集-射击穿电压 Vceo：10 V（注意为器件最大允许工作电压）
• 耗散功率 Pd：200 mW（环境温度与封装散热影响显著）
• 直流电流增益 hFE：250 @ Ic=15 mA, Vce=6 V（高增益特性）
• 特征频率 fT：8 GHz（表征高频增益带宽潜力）
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA（低漏电流）
• 射极-基极击穿电压 Vebo：1.5 V（注意反向基-射极电压限制）

三、性能解读与使用要点

• 低 Vceo（10 V）：适合低压电源系统，禁止在高压环境下直接使用，设计时留足余量。
• Pd 200 mW：SOT-23 封装散热受限，实际允许的 Ic 与 Vce 同时受 Pd 限制；高电流长时间导通需降额或采用外部散热手段/并联器件。
• 高 hFE（250@15mA）：可用于小信号放大器或作为前级驱动器，但在极小电流或饱和区增益会下降，设计时注意偏置稳定与负反馈。
• fT = 8 GHz：表明器件在高频下仍有良好增益，但实际电路带宽受布局、电容与负载影响；适用于 VHF/UHF 小信号应用的前置放大或混频器等场合。
• Vebo = 1.5 V：避免对基-射极施加反向电压超过此值（可能在快速开关或静电事件中发生损伤）。

四、典型应用场景

• 便携式无线设备小信号放大与振荡器前级。
• 低压驱动电路、逻辑接口电平转换。
• 射频前端或混合器中的增益级（需合适阻抗匹配）。
• 通用开关、低功率驱动与信号缓冲。

五、封装与布局建议

• 封装：SOT-23，常见引脚配置通常为 1=B, 2=C, 3=E，但不同厂家会有差异，使用前务必参照厂家数据手册确认。
• PCB 布局：尽量缩短高频回路走线、增设地平面并靠近器件优秀退耦。对于 Pd 接近上限的工况，采用热铜箔与过孔并联以改善散热。
• ESD 与反向保护：基极反向电压限制低，建议在输入端加限流电阻或二极管保护以防静电或反向脉冲损伤。

六、选型与替代建议

在需要更高耐压或更大功耗时，应选择 Vceo 更高或 Pd 更大的封装器件；若需要更稳定的低频增益或更高电流容量，也可选择 TO-92/更大封装的 NPN 器件。若用于射频高增益场合，注意比较 fT 与 S参数等高频指标。

如需原厂详细引脚、典型电路图及环境降额曲线，请参考国芯佳品提供的完整数据手册以获得最准确的设计依据。