型号:

FC3356

品牌:国芯佳品
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
FC3356 产品实物图片
FC3356 一小时发货
描述:双极型晶体管(普通三极管) FC3356
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0948
3000+
0.0753
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)12V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)250@20mA,10V
特征频率(fT)7GHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
射基极击穿电压(Vebo)2.5V
数量1个NPN

FC3356 产品概述

FC3356 是国芯佳品出品的一款小信号 NPN 双极型晶体管,采用 SOT-23 小封装,适合便携、空间受限及高频应用场景。器件定位为通用三极管,但具有较高的直流增益和较宽的频率响应,适用于开关、放大和射频前端的轻度增益要求场合。

一、主要规格要点

  • 晶体管类型:NPN(双极型晶体管)
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA
  • 集-射极击穿电压 Vceo:12 V
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(Ta=25°C)
  • 直流电流增益 hFE:250 @ Ic=20 mA、Vce=10 V
  • 特征频率 fT:7 GHz(用于评估高频增益能力)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(常温)
  • 发-基击穿电压 Vebo:2.5 V
  • 封装:SOT-23(3 引脚)
  • 数量:单只元件

二、性能特点与应用建议

  • 高直流增益:在中等偏流(20 mA)下 hFE 可达 250,便于作为小信号放大器使用,可在偏置网络中获得较大电压增益或降低基极偏流需求。
  • 高频能力良好:fT 约 7 GHz,适合 VHF / UHF 的小信号放大、混频或本振缓冲等场合,但在射频电路中需关注封装和布局带来的寄生影响。
  • 低漏电流:Icbo 约 100 nA,有利于高阻输入或高阻回路的稳定性。
  • 受限的耐压与耗散:Vceo 为 12 V,Pd 仅 200 mW,适合低压、低功耗电路;不可用于高压或大功率场合。

三、使用注意事项

  • 发-基反向耐压较低:Vebo = 2.5 V,切勿在电路中将基极对发射极承受较大反向电压。
  • 功率降额与散热:Pd 200 mW 是常温值,实际应用中高环境温度和封装热阻会显著降低可用耗散,建议通过合理的 PCB 铜箔和散热设计来提高热稳定性。
  • 饱和开关应用:若作开关需进入饱和区,建议按经验将强迫 β 取 10–20 来计算基极电流;例如在 100 mA 集电电流时,基极应提供数 mA 的驱动电流以保证充分饱和。
  • 引脚与封装:SOT-23 引脚排列因封装厂不同可能存在差异,常见示例为引脚1:B,2:E,3:C,但最终以厂商的引脚图和标识为准。

四、典型应用场景

  • 低压小信号放大器(音频前级、传感器信号调理)
  • 低功耗开关(驱动小继电器、指示灯或作为逻辑接口)
  • 高频缓冲与振荡电路(在注意布局和匹配的前提下)
  • 通用替换元件,用于空间受限的便携式电子设备

总结:FC3356 在 SOT-23 小封装中提供了较高直流增益与优良的高频特性,适合低压、低功耗与高频应用。但由于耐压和功耗限制,设计时需注意电压和热降额,并严格参照厂商封装与管脚定义以确保可靠性。若需要在高电流或高功率场合使用,应选择更大封装或功率等级更高的器件。