RGT50NL65DGTL 产品概述

一、产品简介

RGT50NL65DGTL 是 ROHM（罗姆）推出的一款沟槽型场截止 IGBT，650V 耐压、48A 额定电流、表面贴装封装（TO-263L / LPDS）。器件面向中高压开关电源、电机驱动与逆变器等场合，兼顾低导通损耗与合理的开关特性，适用于需要高耐压和较大瞬态电流能力的功率开关电路。

二、主要参数

• 集射极击穿电压 Vces：650V
• 集电极电流 Ic：48A
• 最大耗散功率 Pd：194W
• 输出电容 Coes：56pF
• 输入电容 Cies：1.4nF
• 反向传输电容 Cres：22pF
• 正向脉冲电流 Ifm：75A
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：2.1V @ Ic=25A, Vge=15V
• 栅极阈值电压 Vge(th)：5V @ Ig=17.5mA
• 开关特性：开启延迟 Td(on)=27ns，关断延迟 Td(off)=88ns，反向恢复时间 Trr=58ns
• 工作温度范围：-40℃ ~ +175℃
• 封装：TO-263L（表面贴装 / LPDS）

三、特点与优势

• 高耐压（650V）与较大连续电流（48A），适合中高压功率转换。
• 沟槽型场截止结构在导通损耗与开关寿命间取得平衡，实现较低的 VCE(sat)。
• 较大的正向脉冲电流（75A）可应对短时冲击负载。
• 输入/输出及反向传输电容参数明晰，有利于开关瞬态建模与驱动优化。
• TO-263L 表面贴装封装利于自动化装配与散热处理。

四、驱动与开关设计注意事项

• Vge(th) 为 5V（测量电流 17.5mA），器件在 15V 栅压下给出 VCE(sat) 规格，建议栅极驱动电压使用 15V 以保证充分导通。
• Cres（22pF）表示米勒电容效应在开关过程中会影响栅极电荷转移，开关瞬态应考虑米勒阶跃，适当加入栅极电阻以控制 dv/dt。
• 开关延迟和恢复时间提示此器件为中速 IGBT，关断过渡较慢时需注意能量吸收与缓冲措施（如缓冲电阻或吸收电路）。

五、热设计与封装

• 最大耗散功率 194W 为器件极限值，实际功耗受开关频率、占空比和散热条件影响。必须设计良好的铜箔散热通路和/或散热器，减少结-壳/结-ambient 温升。
• 封装为 TO-263L（LPDS），便于在 PCB 上实现大面积散热铜箔与过孔通热，建议在封装下方及底层布置散热平面和多盏热过孔。

六、典型应用场景

• 中高压开关电源（PFC、主开关）
• 交流/直流电机驱动（中小功率）
• 逆变器、UPS、焊机等需要耐压和抗冲击能力的功率电路

七、选型与实施建议

• 根据工作电压与过电流裕量选择 650V 级别是否满足系统需求，并核查开关损耗与热裕量。
• 采用 15V 驱动并配合合适的栅极电阻与缓冲网络，以平衡开关损耗与电磁兼容（EMI）性能。
• 对于反向恢复与关断能量，应在拓扑中预留吸收或限流措施，避免超出器件 SOA。
• 装配时注意焊接工艺与热循环对封装和导电性能的影响，遵守厂商推荐的 PCB 散热与安装规范。

如需器件详细的电气特性曲线、热阻值或典型应用电路图，可进一步提供相关 Datasheet 或索取 ROHM 官方技术资料。