SVF23N50PN 产品概述

一、概述

SVF23N50PN 是士兰微（SILAN）推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，适用于需要 500V 等级耐压与中等电流能力的功率开关场合。器件具备较高的击穿电压与良好的开关性能，适合用于开关电源、逆变器、功率变换与电机驱动等工业级应用。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：500 V
• 连续漏极电流 Id：23 A
• 导通电阻 RDS(on)：210 mΩ @ Vgs=10 V
• 最大耗散功率 Pd：280 W（裸片/良好散热条件下）
• 阈值电压 Vgs(th)：4 V @ Id=250 μA
• 总栅极电荷 Qg：42.51 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：2.5958 nF
• 输出电容 Coss：343.8 pF
• 反向传输电容 Crss：10.1 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 类型：N 沟道 MOSFET；封装：TO-3P-3；数量：1 只

三、器件特点与优势

1. 高耐压：500 V 额定耐压可满足中高压电源与功率变换场景的安全余量。
2. 合理的导通电阻与电流能力：23 A 连续电流与 210 mΩ 的 RDS(on) 在中等功率等级中兼顾损耗与成本。
3. 较大的栅极电荷与输入电容提示在高频开关时需要考虑驱动能量，但能提供稳定的开关过渡特性。
4. 宽工作温度和较高耗散功率：适用于工业环境并可在有良好散热措施下承受较大功率损耗。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）高压开关管
• 功率因数校正（PFC）电路
• 高频逆变器与变频驱动
• 工业电源与电源模块的主开关元件

五、选型与使用建议

• 若用于高频开关（几十到几百 kHz），需注意 Qg 较大，选择相匹配的栅极驱动器并评估驱动损耗。
• 散热设计要充分考虑 Pd 与实际结-壳、壳-散热器热阻，必要时采用强制风冷或大面积散热片。
• 当工作在脉冲或短时峰值电流下，应参考器件脉冲电流能力和热循环应力。
• 对抗高压浪涌与反向峰值电压，应配合合适的吸收和限流元件保护。

六、可靠性与封装

TO-3P-3 封装适合在要求较好散热路径的应用中使用，便于与散热片机械固定并实现大功率散热。工作温度范围宽、封装机械强度高，适合工业级长期运行。

总结：SVF23N50PN 是一款面向中高压功率转换的 N 沟道 MOSFET，兼顾耐压、安全余量与成本效益，适合多种工业电源与驱动场合。选型时需综合考虑开关频率、栅极驱动和散热方案以发挥其最佳性能。