ES1M 产品概述

一、产品简介

ES1M 为一款快恢复（Fast Recovery）高效率二极管，适用于高压整流与开关电源回路。该产品由 ST（先科）提供，SMA 贴片封装，面向需要高耐压与较快开关响应的工业与电源应用。

二、主要参数

• 正向压降（Vf）：1.7V @ 1A
• 直流反向耐压（Vr）：1kV
• 正向整流电流：1A
• 反向电流（Ir）：5µA @ 1kV
• 反向恢复时间（Trr）：35ns
• 工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
  以上参数为典型测试条件下的关键指标，具体应用请以厂方完整数据手册为准。

三、主要特性与优势

• 高耐压：1kV 反向耐压适用于高压整流与高压开关场合。
• 快恢复：35ns 的反向恢复时间有助于降低开关损耗与电磁干扰（EMI），提升系统效率。
• 低静态漏电：在额定耐压下5µA 的漏电有利于降低静态损耗及温升。
• 标准SMA封装：适合自动贴装与中功率板级应用，便于批量生产与更换。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）中的高压整流与二次侧保护。
• 高压电源、逆变器与电机驱动的整流或回馈回路。
• 高压充电器、照明电源以及脉冲类电路的电压钳位与回流路径。
• 作为快恢复保护二极管用于降低开关器件的应力与抑制过冲。

五、封装与热管理

SMA 表面贴装封装，适合常规回流焊工艺。尽管额定正向电流为1A，但在实际使用中应关注结温上升与PCB散热能力：

• 建议在铜箔面积处提供散热过孔或加大焊盘面积以降低结温。
• 在高温或连续高负载工况下请按厂方温度-电流降额曲线使用。

六、设计与使用建议

• 为保证可靠性，设计时应保留适当的电压裕量，不建议长期工作在接近1kV 的峰值应力下。
• 若电路存在高能量脉冲或浪涌，请参照厂方资料确认冲击电流（Ifsm）与能量吸收能力，必要时外加浪涌抑制器或串联限流。
• 注意 PCB 布局：缩短二极管与开关器件间走线，合理配置旁路/吸收电路以降低 dv/dt 诱发的反向恢复振铃。

七、检验与选型提示

选购与验证时，除关键参数外应核对完整数据手册中的：冲击浪涌电流、最大结温下的漏电特性、典型能量耗散曲线及焊接热循环规范。样品评估阶段建议做温升测试、反向恢复波形测试与长期老化试验以确认在目标应用下的稳定性。

总结：ES1M 以其1kV 耐压与35ns 快恢复能力，适合中高压电源与开关场景使用；在设计时应综合考虑热管理、耐压裕量与浪涌能力以确保系统长期可靠运行。