AO3402 产品概述

一、简介

AO3402 是一只单通道 N 沟道增强型场效应管，封装为 SOT-23，适用于空间受限的便携式电子和功率管理电路。该器件由 BORN（伯恩半导体）出品，额定漏源电压为 30V，适合中低压开关与电源路径控制场景。

二、主要参数

• 管型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源电压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：5A（封装和散热受限下标称值）
• 导通电阻 Rds(on)：83mΩ @ Vgs=2.5V（Id=2A）
• 最大耗散功率 Pd：1.25W（SOT-23 标准散热条件）
• 门极阈值电压 Vgs(th)：约 2.0V
• 输入电容 Ciss：235pF @ 10V
• 工作温度范围：-55°C ~ +150°C

三、性能特点

AO3402 在低电压栅驱动下即可获得较低的导通电阻，Vgs=2.5V 条件下 Rds(on)=83mΩ，适合与单节锂电池或 3.3V/5V 逻辑直接驱动。输入电容适中（Ciss 235pF），在开关频率不太高的场合切换损耗可控。SOT-23 小封装便于密集 PCB 布局但热阻较高，需要注意功率限制。

四、典型应用

• 便携设备的电源开关与负载切换（电池管理、电源路径选择）
• 低压电路的负载开关与反向保护
• 电平转换、低速 DC-DC 开关元件
• 便携式充电器、智能家居模块等空间受限场合

五、使用与布局建议

• 在 PCB 布局时应尽量增大 MOSFET 引脚到散热铜箔的面积，减少结到环境的热阻；对于大电流工作建议并用或使用更大封装器件。
• 门极驱动器应限制 dv/dt 对栅极的冲击，必要时并联小阻或 RC 网络以抑制振铃。
• 由于 Ciss 为 235pF，驱动电容充放电电流在高速开关时会增加，应核算栅极驱动功耗。

六、热管理与可靠性

SOT-23 封装的耗散功率 Pd=1.25W（在特定板级散热条件下），实际允许的持续电流受 PCB 散热能力限制。工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适应性强，但在高温下 Rds(on) 会上升，长期高温工作需留有裕量。

七、选型注意事项

若电流需求接近额定 5A 或开关频率高、占空比大，建议选用更低 Rds(on) 或更大功率封装的 MOSFET；若需更低栅压驱动或更小导通损耗，可对比 Vgs=4.5V/10V 条件下的 Rds(on) 参数。购买时确认封装、批次与完整数据手册以保证性能一致性。