P6KE200A 产品概述

一、产品简介

P6KE200A 为单向瞬态电压抑制二极管（TVS/ESD），用于抑制交流或直流电路中的浪涌与静电放电造成的瞬态过电压。品牌：BORN（伯恩半导体），封装为 DO‑15（DO‑204AC）轴向引线，适合通过引线焊接或穿孔安装在印制板上，常用于电源线、接口和敏感元件的瞬态保护。

二、主要参数

• 钳位电压（Vc）：274 V（在指定测试条件下）
• 击穿电压（Vbr）：190 V
• 反向截止电压（Vrwm / 工作耐压）：171 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：600 W（10/1000 μs 测试波形）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：2.2 A
• 反向漏电流（Ir）：1 μA（典型/最大值，取决于环境和电压）
• 极性：单向（正向用于导通，反向用于阻断）
• 类型：瞬态抑制二极管（TVS）
• 封装：DO‑15（轴向）

三、工作原理与电气特性

P6KE200A 在正常工作电压 Vrwm（171 V）以下呈高阻态，漏电流极小（Ir ≈ 1 μA），不会影响电路正常工作。当出现瞬态过电压并超过击穿电压（约 190 V）时，器件进入雪崩导通区并将电压钳位在约 274 V 的水平，从而把能量导入地或回路，保护后端器件。600 W 的能量能力基于 10/1000 μs 的标准冲击波形，单次能量吸收能力与电流上限（Ipp 2.2 A）相关，重复脉冲或更高能量时需注意退化和热应力。

四、典型应用场景

• 中高压直流母线或电源输入的浪涌保护（适配 Vrwm ≈171 V 的系统）
• 工业控制设备、逆变器输入侧的瞬态抑制
• 通讯接口、继电器驱动回路、传感器供电线的浪涌防护
• 与保险/熔断器、限流电阻配合用于更高能量冲击的保护方案

五、设计与使用建议

• 选型时确保 Vrwm 高于最大工作电压但低于被保护元件可承受的击穿阈值；P6KE200A 的 Vrwm 为 171 V，适合工作电压低于该值的系统。
• 布局上将 TVS 尽量靠近被保护节点并采用最短、宽的接地回路以降低寄生电感。
• 对于可能的高频或反复冲击，配合串联熔断器或限流电阻以分担能量，避免 TVS 长时间承受高功率导致热失控。
• 轴向 DO‑15 封装便于穿孔安装，焊接时注意控制温度与引线弯折半径，避免机械应力集中。
• 验证电路在最大预期温度下的漏电流与钳位性能，必要时在样机上做脉冲耐受与寿命测试。

六、注意事项与限制

• TVS 为瞬态保护元件，不适合持续吸收高功率或作为长时间电压调节器。
• 单向器件需正确极性安装，反接会失去保护功能或被损坏。
• 标称钳位电压与实际钳位随测试电流和环境温度变化，应在目标工作条件下确认。
• 对于极高能量的雷击或近距离闪络，仍需结合外部浪涌保护器和熔断元件共同防护。

七、总结

P6KE200A（BORN）是一款适用于中高电压瞬态保护的单向 TVS，具有 Vrwm 171 V、Vc ≈274 V、600 W（10/1000 μs）能量吸收能力，适合工业电源和接口浪涌保护。设计时注意正确选型、合理布局与配套限流/熔断措施，可在多数瞬态场景下为下游电路提供可靠保护。