SVF18N50PN 产品概述

SVF18N50PN 是士兰微（SILAN）推出的一款高压 N 沟道功率场效应管（MOSFET），专为中高压开关电源与功率转换应用设计。器件耐压 500V、连续漏极电流可达 18A，结合 TO-3P 大功率封装与较低导通电阻，使其在离线开关电源、功率因数校正（PFC）、逆变与工业驱动等场合表现优异。

一、主要参数一览

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：500V
• 连续漏极电流 Id：18A
• 导通电阻 RDS(on)：260 mΩ @ Vgs = 10V
• 阈值电压 Vgs(th)：4V @ Id = 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：38 nC @ Vgs = 10V
• 输入电容 Ciss：2.32 nF
• 输出电容 Coss：282 pF
• 反向传输电容 Crss（Miller）：7 pF
• 耗散功率 Pd：240W（与散热条件相关）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：TO-3P

二、产品特点与优势

• 高耐压：500V 额定耐压适用于离线电源桥臂、PFC 级和高压逆变器。
• 中高电流能力：18A 连续电流满足多数中小功率转换器与驱动器需求。
• 大功率耗散：TO-3P 封装配合良好散热措施，可实现高达 240W 的功率耗散（依散热条件）。
• 较小栅—漏电容（Crss = 7 pF）：利于抑制 Miller 效应，有利于提升开关速度与降低误触发风险。
• 合理的栅极电荷（Qg = 38 nC）：在保证开关性能的同时，对驱动器选型提出了中等驱动能力要求。

三、电气性能与驱动建议

• 为得到标称 RDS(on)（260 mΩ），建议栅极驱动电压采用 10V（亦可采用 12V 以留有裕量）；阈值电压较高（4V @ 250μA），因此不足以使用弱驱动。
• 由于总栅极电荷较大，驱动器需提供足够瞬态电流以实现快速开关，推荐在栅极串联阻值进行优化（常见 5Ω ~ 20Ω）以兼顾开关速度与振铃抑制。
• 高压应用中建议配合合适的吸收网络（RC、RCD）或 TVS 二极管，防止开关瞬态超过器件耐压。
• 开关频率与开关损耗需权衡：Ciss 与 Coss 决定了切换损耗随频率上升的增长，适合中低至中频率（例如几十 kHz 范围）开关设计。

四、热设计与封装说明

• TO-3P 金属/塑封复合结构提供较大散热面，要求使用良好接触的散热器与导热介质（导热硅脂或绝缘垫片）以降低结壳温差。
• Pd 标称值 240W 为理想散热条件下获得，实际系统中需根据结到环境热阻、散热器面积与气流情况重新计算结温。
• 建议在布局时保证引脚与散热片的电气隔离与绝缘要求，并注意螺丝紧固力矩与绝缘片的厚度对热阻的影响。

五、典型应用场景

• 离线开关电源（半桥、功率开关）
• 功率因数校正（PFC）前端开关
• 中小功率逆变器与UPS
• 工业电源与电机控制中的开关元件
• 大型 LED 驱动电路、高压电源模块

六、使用注意与采购信息

• MOSFET 对静电敏感，PCB 装配与测试时应采取 ESD 保护措施。
• 设备封装与散热设计直接影响可靠性，建议进行实际结温测试以验证长期运行条件。
• 订购信息：品牌 SILAN（士兰微），封装 TO-3P，常见型号 SVF18N50PN，单片采购或批量询价请联系供应商提供库存与出货周期。

如需基于该器件的典型开关电源原理图、驱动电路建议或热仿真参数，我可以根据具体应用场景（例如开关频率、功率等级与散热条件）提供更详细的设计建议。