LXES1UTAA1-157 产品概述

一、产品简介

LXES1UTAA1-157 是一款面向接口线路与小型电路保护的静电放电（ESD）保护器件，来自村田（muRata）系列，采用超小型 DFN1006-2 双引脚封装。器件针对典型的电涌与静电放电事件提供快速钳位与能量吸收能力，适合移动设备、可穿戴设备、消费电子以及各种需在受扰环境下保证信号完整性的应用。

二、主要性能特点

• 额定反向截止电压（Vrwm）：6 V，适用于低压信号线或电源轨保护。
• 峰值脉冲电流（Ipp）：1.5 A（8/20 μs），在常见浪涌工况下具备短时能量吸收能力。
• 击穿电压（Vbr）：7 V，发生导通并实现钳位前的阈值。
• 反向漏电流（Ir）：典型 1 μA，低漏电有利于电源和高阻抗线路的稳定性。
• 结电容（Cj）：0.5 pF，极低的电容值非常适合高速信号线路（例如 USB、MIPI 等）以降低信号失真。
• 工作温度范围：-40 ℃ 至 +85 ℃，满足多数工业与民用环境要求。
• 抗扰标准：符合 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-5（浪涌）相关测试要求。

三、典型应用场景

• 手机、平板、可穿戴终端的外部接口保护（耳机插孔、充电/数据口）。
• 高速差分或单端数据线的防护（对低电容要求苛刻的接口）。
• 工业与消费类低压供电轨短时过压与静电放电保护。
• 任何对封装面积与布局有严格限制，需要贴片化、易于自动化贴装的场合。

四、封装与布局建议

• DFN1006-2 超小型封装，便于高密度 PCB 布局与空间受限设计。
• 建议将器件尽量靠近受保护的输入/输出端口或连接器放置，以缩短导线长度、降低串联电感，从而提高 ESD 释放路径的效率。
• 低阻抗接地对于吸收能量至关重要，应确保器件地引脚与系统地之间的回流路径短且粗，优先使用多层地平面或焊盘直接过孔连接地平面。
• 对高速差分信号，在布局时注意保持差分线对长度平衡与阻抗连续性，避免器件引入过长的走线。

五、使用注意事项

• 器件反向截止电压为 6 V，推荐在工作电压低于此值的电路中使用；若系统工作电压接近或超过 6 V，应选用更高 Vrwm 的保护元件。
• 峰值脉冲电流基于 8/20 μs 波形测试，频繁或长时持续的高能量冲击会超出器件能量吸收能力，需配合其他防护措施（如气体放电管、慢熔断器或级联 TVS）共同防护。
• 虽然结电容极低，但在极端高速或精密模拟通道中仍建议做评估，确保对信号完整性影响在可接受范围内。
• 注意焊接工艺对小封装的影响，遵循制造商的焊接温度曲线与回流建议以保证可靠性。

六、关键规格速览

• 类型：ESD 保护器件
• 封装：DFN1006-2（2 引脚）
• Vrwm：6 V
• Vbr：7 V
• Ipp（8/20 μs）：1.5 A
• Ir：1 μA（典型）
• Cj：0.5 pF
• 工作温度：-40 ℃～+85 ℃
• 标准：IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-5

总结：LXES1UTAA1-157 以其超小封装、低电容与低漏电特性，适合对空间与信号完整性要求高的应用场景，能在常见静电与短时浪涌事件中提供有效保护。设计时请根据系统工作电压与实际能量冲击级别选择合适的保护拓扑与器件并进行信号完整性验证。