型号:

MMBT3904

品牌:KUU
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MMBT3904 产品实物图片
MMBT3904 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN
库存数量
库存:
2667
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0205
3000+
0.0163
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)100@10mA,1V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

MMBT3904 (KUU) — SOT-23 封装 NPN 三极管产品概述

一、产品简介

MMBT3904 是一款通用小信号 NPN 晶体管,KUU 品牌的 SOT-23 封装版本针对表面贴装应用进行了优化。该器件具有较高的增益和频率特性,适合用于放大、开关及高频小信号处理场合。器件额定集电极电流可达 200mA,集电极-射极击穿电压 40V,适用范围广泛且便于自动化贴装。

二、主要参数

  • 晶体管类型:NPN(BJT)
  • 封装:SOT-23(小型表面贴装)
  • 直流电流增益 hFE:100(测试条件 Ic=10mA,Vce=1V)
  • 集电极电流 Ic(max):200mA
  • 集电极-射极击穿电压 Vceo:40V
  • 集电极截止电流 Icbo:1μA(典型)
  • 特征频率 fT:300MHz(用于评估高频放大能力)
  • 功耗 Pd:200mW(封装和散热条件相关)
  • 射基极击穿电压 Vebo:6V(请勿反向超过此值)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 300mV(视测试条件而定)

三、性能特点

  • 增益稳定:在中低电流工作点(如 10mA)下 hFE ≈100,便于设计偏置电路与放大级。
  • 高频能力好:fT≈300MHz,适合高频小信号放大器或推动级应用。
  • 低漏电:Icbo 低至 1μA,静态漏电小,有利于低功耗电路。
  • 小体积高集成度:SOT-23 封装兼顾体积和自动化装配性能,适合便携或密集板级布局。

四、典型应用

  • 小信号放大:前置放大器、音频放大器的小信号级。
  • 快速开关:驱动小型继电器、LED,或作为逻辑电平开关。
  • 高频电路:射频前端、混频或本地振荡器的低噪声放大级(需结合电路仿真)。
  • 通用电子电路:传感器接口、信号整形与缓冲等场合。

五、使用建议与注意事项

  • 功耗管理:SOT-23 的 Pd 约 200mW,实际可承受能量受 PCB 散热和环境温度影响。高电流或连续功耗场合应考虑降低功耗或加大铜箔散热。
  • 基极反向电压:Vebo 为 6V,切勿在应用中使基极-射极承受反向电压超过该值,以免永久损伤。
  • 饱和区与开关速度:在要求快速切换时,避免过度进入深饱和状态(可通过增加基极电阻或并联肖特基钳位改善恢复时间)。
  • 设计余量:实际应用中建议留有安全裕量,不长期工作在最大额定值附近,以延长可靠性与寿命。
  • 噪声与偏置:高频放大时关注偏置点与输入匹配,必要时配合退耦电容和阻抗匹配网络使用。

六、封装与可靠性

SOT-23 小封装利于自动贴装与高密度 PCB 布局,但散热能力有限,适合低功耗或间歇性工作的场合。出货前建议参照厂家完整数据手册进行温度系数、极限参数以及封装尺寸的确认,以保证在具体应用中的可靠性与可制造性。