型号:

BSC007N04LS6

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TDSON-8-EP(5x6)
批次:待确认
包装:未知
重量:-
其他:
-
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BSC007N04LS6 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) BSC007N04LS6
库存数量
库存:
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最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.38
5000+
5.2
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))0.7mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)188W
阈值电压(Vgs(th))2.3V
栅极电荷量(Qg)94nC
输入电容(Ciss)8.4nF@20V
反向传输电容(Crss)89pF@20V
工作温度-55℃~+175℃

BSC007N04LS6 产品概述

一、概述

BSC007N04LS6 是 Infineon(英飞凌)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源电压 Vdss=40V,连续漏极电流 Id=100A,适用于中低压大电流的开关和功率管理场合。封装为 TDSON-8-EP(5x6),具有良好的热性能与布局友好性,工作温度范围宽(-55℃ ~ +175℃)。

二、关键电气参数

  • Vdss(漏源电压):40 V
  • Id(连续漏极电流):100 A
  • RDS(on)(导通电阻):0.7 mΩ @ Vgs=10V, Id=50A(低导通电阻,导通损耗小)
  • Pd(耗散功率):188 W(在良好散热条件下可承受较大功率)
  • Vgs(th)(阈值电压):2.3 V
  • Qg(总栅极电荷):94 nC(相对较大,驱动电流要求高)
  • Ciss(输入电容):8.4 nF @ 20 V
  • Crss(反向传输电容,Miller):89 pF @ 20 V

三、性能亮点与影响

BSC007N04LS6 的超低 RDS(on) 使其在高电流条件下导通损耗极低,适合同步整流、降压转换器和功率开关应用。较高的 Pd 指出在合适的散热设计下能承受持续高功率。较大的 Qg 和 Ciss 表明在高速开关时需要足够的驱动能力,否则开关损耗和切换时间会增加;同时 Crss 影响 Miller 效应,需注意在高 dV/dt 场合的误触发和电磁干扰。

四、封装与热管理

TDSON-8-EP(5x6)带外露大焊盘(EP),有利于将结温通过 PCB 大面积铜箔和过孔散出。建议布局时:

  • 在器件底部和焊盘下方布置多排热过孔连接内外层散热铜箔;
  • 引脚和功率走线尽量加宽、短化以降低寄生电阻和电感;
  • 考虑在热设计中按照实际 PCB 散热能力对 Pd 进行降额使用。

五、典型应用与使用建议

适用于:

  • 同步降压(buck)转换器的开关或同步整流管;
  • 电机驱动、负载开关、大电流点式开关电源;
  • 半桥/全桥拓扑中的低压侧或高侧(配合合适驱动器)。

使用建议:

  • 栅极驱动电压推荐 10 V 以获得最低 RDS(on),若使用较低 Vgs,应评估导通损耗;
  • 对于高速开关应用,应配置足够电流的驱动器、合理的栅阻和必要的 RC/TVS 抑制网络;
  • 注意器件的 SOA 与热循环,应在系统级进行温升验证。

BSC007N04LS6 以其低导通阻和优良的散热封装,适合要求高效率、大电流的电源与电机驱动场景,但需在驱动与 PCB 热设计上给予足够重视以发挥其最佳性能。