TB67H451FNG(O,EL) 产品概述

一、产品简介

TB67H451FNG 是东芝（TOSHIBA）推出的一款集成MOSFET的单通道H桥驱动器，封装为SOIC-8，适用于直流电机、电磁阀、继电器等负载的单桥驱动控制。器件工作电压范围宽（4.5V～44V），额定输出电流可达3A，静态待机电流仅1μA，适合对功耗敏感的便携或长待机系统。

二、主要性能参数

• 集成FET：是（内部包含高/低侧功率MOSFET）
• H桥数量：1
• 输出电流：3A（实际连续电流受散热限制）
• 工作电压：4.5V～44V
• 导通电阻（RDS(on)）：约600mΩ（典型值或单次管道）
• 静态电流（Iq）：1μA（待机极低）
• 工作温度：-40℃～+85℃
• 封装：SOIC-8 注：标注值以厂商数据手册为准，设计时应参考典型、极限条件与热阻参数。

三、应用场景

• 小型直流减速电机驱动（玩具、家电、便携设备）
• 电磁阀、微型执行器与单向线圈负载
• 低功耗系统中的单路驱动与开关控制
• 需要宽电源范围与低待机电流的场合

四、设计注意事项

1. 散热与功耗：在最大电流下功耗较大（P ≈ I^2·RDS(on)，例如3A时理论损耗约5.4W），实用设计中需考虑PCB散热、铜箔面积与热沉，建议在典型工况下进行热仿真并留裕量。
2. 反向电压与浪涌保护：负载反电动势较大时应并联TVS或RC缓冲网络，必要时加外部快恢复二极管或吸收器避免电压尖峰超限。
3. 旁路与退耦：VCC近端放置低ESR电容（如10μF并并联0.1μF）以抑制开关瞬态。
4. 引脚与布局：SOIC-8封装引脚通常包含VCC、GND、IN/EN、OUT等，实际信号命名与功能请以数据手册为准；布局应缩短功率回路、加布热铜并使用过孔下导热。
5. 保护与控制：建议在系统层面加限流、软启动或PWM调制策略以减小启动冲击和热应力；若需故障检测或过热保护，配合外部监测电路使用。

五、总结

TB67H451FNG 在保持低待机电流的同时提供宽电压范围和单通道H桥驱动能力，适用于多种中小功率执行器控制场景。设计时应重点关注散热与瞬态保护，严格参照东芝数据手册的引脚定义和电气特性，以保证可靠性与长期稳定运行。若需进一步电气时序、引脚表及典型应用电路，请查阅厂商完整资料。