2N3904（BLUE ROCKET）产品概述

一、主要参数

2N3904（品牌：BLUE ROCKET）为常用的NPN硅晶体管，主要电气参数如下：

• 集电极电流 Ic：200 mA（最大）
• 集射极击穿电压 Vceo：40 V
• 功耗 Pd：625 mW（封装限制，TO-92）
• 直流电流增益 hFE：100（在 Ic=10 mA、Vce=1 V 条件下典型值）
• 特征频率 fT：300 MHz（适合小信号高频放大）
• 集电极截止电流 Icbo：50 nA（典型，表明低漏电流）
• 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)：约 300 mV（在 Ic=50 mA 和 Ic=5 mA 时给出）
• 发射极-基极击穿电压 Vebo：6 V

这些参数表明该器件为通用低功耗小信号开关与放大器件，适合在低至中等电流、低至中等电压环境下工作。

二、封装与引脚

• 封装：TO-92-3（塑封小三脚封装）
• 常见引脚排列（平面朝向，脚向下）：左 - 发射极（E），中 - 基极（B），右 - 集电极（C） 该封装便于在通用电路板上手工焊接与批量贴装。

三、典型应用

• 通用开关：用于驱动小继电器、指示灯、TTL/CMOS接口电平转换等（通常作为低侧开关）
• 小信号放大：音频前级、低噪声放大器、传感器信号放大
• 高频振荡与混频：得益于 300 MHz 的 fT，可用于轻度射频/高频信号处理
• 数字电路缓冲与电平驱动

四、使用注意事项

• 遵守最大额定值：Vce 不超过 40 V，Ic 不超过 200 mA，整体耗散不超过 625 mW（在环境温度与封装限制下需考虑结温升高与功率降额）。
• 饱和驱动要求：若用于开关（例如 Ic=50 mA），建议提供充足基极电流（一般取强制 beta≈10~20），以确保低 VCE(sat) 与可靠开关性能。
• BE 反向耐压限制：Vebo≈6 V，避免将基极-发射极反向施加高电压以免损坏。
• 漏电流与温度：Icbo 50 nA 表现为低漏电流，但高温下漏电流会增加，需注意偏置稳定性。
• 热管理：TO-92 封装功耗 625 mW 在常温下是限制值，长时间在高 Ic 或高 Vce 条件下工作应留有安全裕度并控制结温。

五、典型电路与设计建议

• 放大器偏置：若希望在放大状态工作，选择 Ic≈5~20 mA 可兼顾增益与功耗；在 Ic=10 mA 时可预期 hFE≈100，便于计算基极偏置电阻。
• 开关驱动：对于负载电流 50 mA，基极电流可取 510 mA（对应强制 β=105），以确保 VCE(sat)≦0.3 V。
• 保护措施：推荐在集电极侧增加限流或保险元件；若用于感性负载，加上二极管或瞬态抑制器以防止反向尖峰。

总结：BLUE ROCKET 标记的 2N3904 是一款性能均衡的通用 NPN 晶体管，适用于小信号放大与低至中等电流开关场合。选型时以功耗 Pd 与结温为主约束，合理偏置与热管理可确保长期稳定工作。