S2M 肖特基整流二极管（BLUE ROCKET）产品概述

一、产品概述

S2M 为 BLUE ROCKET 系列高压肖特基整流二极管，独立式封装（SMA），额定反向耐压 Vrrm=1kV，直流整流电流 If(DC)=2A，适合高压直流整流与高频开关电源中的整流与保护场合。器件采用肖特基势垒结构，具有低正向压降与极短的反向恢复时间，便于提高系统效率并降低开关损耗。

二、主要参数

• 封装：SMA（独立式）
• 品牌：BLUE ROCKET
• 额定反向耐压（Vrrm / Vr）：1kV
• 正向电流（整流）：If = 2A（直流）
• 正向压降：Vf = 1.1V @ 2A
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 50A
• 反向漏电流：Ir = 5 μA @ 1kV
• 结电容：Cj ≈ 25 pF
• 工作结温范围：Tj = -55 ℃ ~ +150 ℃

三、主要特性与优势

• 低正向压降（1.1V@2A），减小正向功耗，提高整流效率；
• 极短的反向恢复特性（肖特基本质），适合高频开关场合，降低开关损耗与电磁干扰；
• 高耐压（1kV）与较低反向漏流（5 μA），适用于高压直流应用；
• 峰值浪涌能力强（50A），短时承受开机冲击或浪涌电流能力优良；
• 小结电容（25 pF），利于高速开关与低损耗传输特性。

四、典型应用

• 高压开关电源（HV SMPS）二次整流或初级回路保护；
• 工业与通信领域的高压直流整流与滤波；
• 光伏逆变器及感应加热等需承受高压整流的场合；
• 反向极性保护、续流二极管及浪涌吸收电路。

五、设计与使用注意事项

• 持续正向功耗 Pd ≈ Vf × If（如1.1V×2A ≈ 2.2W），SMA 封装对散热要求较高，建议在 PCB 上采用大面积铜箔散热或加装散热垫；
• 在高温环境下需按器件热阻与结温范围做功率热裕度与降额设计，避免长期在 Tj 接近 150 ℃ 工作；
• 设计时考虑反向漏流随温度上升而增加的特性，关键电路需评估高温下的漏电影响；
• 若用于高频开关场合，结电容和寄生电感会影响复位波形与 EMI，应在布局和走线中尽量缩短回流路径并加适当去耦。

六、封装与可靠性

SMA 封装体积小、适合自动贴装，焊接工艺成熟。推荐在 PCB 布局中为二极管预留适当散热铜面积和通孔，遵循潮湿敏感度与回流焊工艺规范以保证长期可靠性。

七、选型建议与采购

若系统要求高压（≈1kV）且对开关损耗与浪涌能力有一定要求，S2M（BLUE ROCKET）在成本与性能间提供平衡选择。采购时请确认完整器件型号与生产批次，必要时索取完整数据表与温升曲线，以便在实际应用中验证热设计与电气兼容性。