型号:

B5819WS

品牌:BLUE ROCKET
封装:SOD323
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
B5819WS 产品实物图片
B5819WS 一小时发货
描述:肖特基二极管 肖特基二极管 40V 1A 900mV@3A
库存数量
库存:
2980
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0546
3000+
0.0433
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)900mV@3A
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流1A
反向电流(Ir)1mA@40V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)25A

B5819WS 肖特基二极管(BLUE ROCKET)产品概述

一、产品简介

B5819WS 是 BLUE ROCKET 推出的肖特基整流二极管,封装为 SOD323,面向小型表贴电源和开关保护应用。器件给出关键参数:直流反向耐压(Vr)40V,额定整流电流 1A,非重复峰值浪涌电流(Ifsm)25A,正向压降 Vf 标注为 900mV(测量点 3A),并且在 Vr=40V 时的反向电流 Ir 约为 1mA。该器件结合了肖特基二极管的快速恢复和较低正向压降的特点,适用于体积受限但需中等整流能力的电路。

二、电气特性要点与工程含义

  • 正向压降:标称 Vf=0.9V@3A,注意测量电流高于器件连续额定电流 1A,此数据用于对比和瞬态行为评估。实际在 1A 工作点的 Vf 通常会低于 0.9V,但仍需按 Vf×I 估算功耗。
  • 额定电流与冲击能力:连续整流电流为 1A,若遇短时浪涌可承受 Ifsm=25A(非重复峰值)。设计时应区分连续与脉冲条件,避免长期超载。
  • 反向漏电:Ir≈1mA@40V,相对较高。在需低漏电的待机或精密测量电路,这点需特别注意或选用低漏型器件。
  • 耐压:Vr=40V,适合 12V/24V 等中低压电源环境的整流与保护。

三、应用场景建议

  • 电源整流:小功率开关电源的输出整流或辅助电源整流。
  • 续流/钳位:作为功率开关(MOSFET)续流二极管或浪涌钳位元件。
  • 反接保护:用于电源输入反接保护,因肖特基压降低,可减少电压损失。
  • 电池管理与充放电路径控制(需评估漏电影响)。

四、封装与热管理

SOD323 为小型贴片封装,适合高密度组装,但散热能力有限。工程实践要点:

  • 计算功耗(示例):1A 连续时 Pd ≈ Vf × I,若取 Vf≈0.9V,则 Pd≈0.9W,SOD323 在无额外散热时温升显著,建议在 PCB 设计中通过加大焊盘面积、连接铜箔来增强散热。
  • 尽量避免长期在额定电流极限运行,应留有裕量并注意环境温度对漏电和 Vf 的影响(温度升高会增加 Ir 并稍微降低 Vf)。

五、PCB 布局与焊接建议

  • 保持二极管热焊盘与散热铜箔良好连通,短热路径有助于降低结温。
  • 对于高频开关应用,靠近开关器件放置以缩短信号回路,减少寄生感抗。
  • 按照 SOD323 工艺规范选择回流焊曲线,若元件为潮湿敏感元件(MSL),遵循对应的烘烤/存储要求。

六、选型注意与替代方案

若电路对待机漏电流敏感(μA 级或更低),Ir=1mA@40V 的特性可能不满足需求,建议:

  • 查找低漏肖特基或快速恢复二极管替代品;
  • 或在低压路径改用低正向压降的 Si 晶体整流器并评估功耗与效率折中。

七、小结

B5819WS(BLUE ROCKET,SOD323)是一款适用于体积受限、中等整流需求的肖特基二极管,优势在于低正向压降与高浪涌承受能力,但需关注较高的反向漏电和小封装带来的热管理要求。在设计中应合理评估工作电流、功耗及散热措施,必要时通过选择封装更大或漏电更低的替代件来满足系统可靠性要求。