K105K20X7RF5TH5 产品概述

一、产品简介

K105K20X7RF5TH5 为 VISHAY（威世）品牌的直插式单片多层陶瓷电容（Through‑hole MLCC），标称容值 1 µF，批量公差 ±10%，额定电压 50 V，介质类型 X7R，脚间距（引脚中心距）5 mm，插件封装。适用于需要通过焊接固定、便于手工装配与波峰/回流焊接的电路场合。

二、主要参数（概览）

• 容值：1 µF
• 精度：±10%
• 额定电压：50 V
• 介质：X7R（温度系数类）
• 脚间距：5 mm（插件）
• 封装形式：直插（插件）

三、特性与优势

• X7R 介质在-55°C 至 +125°C 范围内具有良好的温度稳定性，适合多数工业与消费电子环境；但须注意 X7R 属于二类介质，温度和电场会引起容值变化。
• 插件封装便于维修、原型验证和波峰焊接，能承受一定的机械应力，便于穿孔式电路板应用。
• 相较于电解电容，陶瓷电容有更低的等效串联电阻（ESR）和更好的高频特性，适合去耦与滤波场合。
• VISHAY 品牌质量管控成熟，批次一致性与可靠性较好（详见厂商完整规格书用于设计确认）。

四、典型应用场景

• 电源去耦与旁路（DC‑DC 转换器、稳压器输入/输出）。
• 高频滤波、时钟/信号链的局部滤波。
• 一般耦合/旁路与噪声抑制电路。
• 工业控制、通信设备、消费类电子与实验板等需要插件元件的场合。

五、选用与安装建议

• 考虑直流偏压（DC bias）效应：X7R 在较高工作电压下容值会下降，设计时应对额定容值做适当余量或实测确认。
• 温度影响：若电路需极高精度或极小容值漂移，请考虑 C0G/NP0 类型替代；X7R 更适合容值-体积比优先的场合。
• 布局建议：用于去耦时靠近电源引脚放置并缩短引线长度以降低 ESL。
• 焊接与机械：插件件在焊接时避免长时间高温或机械弯折引脚，遵循厂商的焊接工艺与回流/波峰温度曲线。焊后如有机械修整需小心避免对陶瓷体施加冲击导致裂纹。

六、使用与可靠性注意事项

• 储存应避免潮湿、剧烈振动与挤压；如长期存放请参考厂商的储存条件。
• 在高温、高压或反复温度循环环境下，应结合实际可靠性试验验证寿命与容值稳定性。
• 如需批量替换或设计代换，请参阅完整规格书以确认封装尺寸、引脚配置与环境等级。

综上，K105K20X7RF5TH5 为一款适用面广的 1 µF/50 V 插件 X7R 陶瓷电容，适合需要插件安装、对体积与高频性能有要求但对极低漂移要求不苛刻的去耦与滤波场合。进一步的尺寸、可靠性、焊接与电气特性建议参考 VISHAY 官方规格书以完成最终设计确认。