HFD4/5-S1R 信号继电器（HF 宏发）产品概述

一、产品简介

HFD4/5-S1R 是宏发（HF）推出的一款小型 SMD 信号继电器，外形尺寸 10 × 6.5 mm，8 引脚封装，触点形式为两组转换（2C，DPDT）。该继电器以低线圈功耗与良好的接触材料组合为特点，面向信号切换、通讯接口、测试测量以及小功率电路的继电控制场合。

二、主要技术参数

• 线圈电压：5 V
• 线圈类型：有极性（单线圈）
• 额定线圈功率：140 mW（线圈电阻 178 Ω → 驱动电流约 28 mA）
• 引脚数 / 触点形式：8 引脚 / 两组转换（2C，双刀双掷）
• 触点材料：AgNi + 镀金
• 接触电阻：≤ 100 mΩ（初始典型值）
• 触点容量（电阻负载）：1 A @ 30 VDC；300 mA @ 125 VAC
• 最大切换电压：250 V AC；220 V DC
• 最大切换电流：2 A（注意为极限值，长期使用应按额定值或厂家建议降载）
• 动作 / 释放时间：约 3 ms / 3 ms
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装形式：SMD，尺寸 10 × 6.5 mm

三、产品特点与优势

1. 低功耗线圈：140 mW 的线圈功耗，仅约 28 mA 的驱动电流，适合微控制器驱动与电池供电系统，减少驱动器件尺寸和能耗。
2. 小型化 SMD 封装：占板面积小，利于高密度 PCB 布局，适合消费电子、通讯模块和小型仪器设备。
3. 高质量触点：AgNi 基体加镀金处理，兼顾抗氧化性能与耐电弧能力，特别适合微弱信号与低电压低电流场合，保证接触稳定性与长期可靠性。
4. 快速响应：3 ms 的动作/释放时间，适用于对响应时间有一定要求的信号切换场景。
5. 双刀双掷（DPDT）结构：可同时切换两路信号，便于构建切换/翻转或双路冗余方案。

四、推荐应用场景

• 通讯线路切换、信号路由（例如音视频、串口、传感器信号）
• 仪器仪表的低电平信号切换与路由
• 小型继电保护、控制模块中的隔离开关
• 便携设备或电池供电系统中的低功率开关
• 自动测试设备（ATE）中的通断控制

五、设计与布局建议

1. 线圈驱动：由于继电器线圈有极性，必须使用极性敏感的驱动方式。推荐采用晶体管（NPN／N‑MOSFET）低端开关驱动，基于线圈电流约 28 mA 选择驱动器元件。计算示例：Icoil = Vcoil / Rcoil = 5 V / 178 Ω ≈ 28 mA。
2. 吸收电路：为保护驱动器并改善释放速度，可在 PCB 上并联二极管（反向并联）做反向并联二极管吸收；若对释放时间和开关尖峰敏感，可采用 RC、TVS 或双向抑制网络替代简单二极管，以平衡响应速度与过压抑制。
3. 接触保护：若用于感性或较大电流负载，应在负载侧采取抑制措施（RC、TVS、斩波电路或缓启），并按制造商建议降载使用，避免触点烧蚀。
4. PCB 布局：线圈回流路径、电源走线与信号走线应分隔，减少电磁干扰；为焊接可靠性，遵循厂商回流焊曲线及 SMD 焊接工艺规范。
5. 接地与隔离：若用于处理微弱模拟信号，尽量将继电器切换回路与敏感参考地分离，并在布线端做合理的屏蔽与地回路设计。

六、可靠性与测试提示

• 出厂接触电阻为 100 mΩ 量级；在设计中留有裕量，实际线路电阻和接触老化会影响总回路电阻。
• 对于频繁切换场合，建议在样机阶段做开关寿命与接触电阻随循环变化测试，以确认退化曲线是否满足应用要求。
• 采用镀金触点可显著降低因氧化导致的高接触电阻问题，但在高电流弧切环境下仍要关注触点磨损。

七、封装与订购提示

• 标准 SMD（表面贴装）封装，尺寸 10 × 6.5 mm，8 引脚。具体引脚图和 PCB 推荐尺寸请参照厂家数据手册。
• 订购或替换时，请确认完整型号 HFD4/5-S1R 与所需线圈电压（5 V）及触点配置一致，并咨询厂家获取最新的寿命与焊接曲线信息。

若需我帮忙整理 PCB 足迹建议、驱动电路原理图或引用厂家数据手册中的典型参数图，请提供是否需要“带反向二极管的驱动示意”或“回流焊温度规范”等具体项，我可进一步输出实用电路与布局要点。