MM3Z8V2ST1G 产品概述

一、产品简介

MM3Z8V2ST1G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为 8.2V，公差±2%，封装为 SOD-323。该器件为独立式二极管结构，适用于小功率基准与过压保护场合，额定耗散功率为 300mW，体积小、成本低，便于在空间受限的 PCB 上实现稳压与钳位功能。

二、主要电气参数

• 标称稳压值（Vz）：8.2V（公差 ±2%）；典型范围 8.02V ~ 8.36V
• 反向漏电流（Ir）：700nA @ 5.0V（低电压下漏电流典型值，温度升高时会增大）
• 耗散功率（Pd）：300mW（结温、散热条件下的最大耗散）
• 动态阻抗（Zzt）：15Ω（在规定测试电流下的稳态阻抗）
• 低电流拐点阻抗（Zzk）：160Ω（接近击穿起始区域的阻抗）
• 工作结温范围：-65℃ ~ +150℃

这些参数表明该器件在中低功率齐纳稳压应用中能提供相对稳定的电压参考，但在大电流或高功耗场合需谨慎选型与散热设计。

三、封装与热性能

封装：SOD-323（表面贴装）。SOD-323 体积小，适合自动贴片与回流焊工艺。由于功耗上限为 300mW，实际使用时应考虑 PCB 热阻和环境温度，对结温进行热裕度评估，必要时采用更大铜箔或散热措施以降低结温并延长器件寿命。

四、典型应用

• 精密或通用的 8.2V 参考钳位与稳压
• 输入电源的过压保护与电压钳位
• 电源管理的电压基准与基线偏置
• 小功率信号电路的浪涌限幅

该器件更适用于电源电压接近稳压值或通过串联限流实现工作电流较小的应用场景。

五、选型与使用要点

• 功率裕度：稳压工作时耗散 Pd = Vz × Iz，Iz 最大理论值约为 300mW / 8.2V ≈ 36mA，但应留有裕量并考虑环境温度和 PCB 散热条件。
• 串联限流：建议在前端加入串联电阻以限制齐纳电流并分担电压差，确保工作点在安全范围内。
• 温度影响：漏电流与稳压值随温度变化，需在高低温条件下验证电路性能。
• 动态阻抗：Zzt=15Ω 表示在负载变化时有一定的输出阻抗，若需更低噪声或更稳定基准，应考虑更高规格器件或配合放大电路。
• 敏感特性：Zzk=160Ω 提示在低电流区稳压特性不理想，避免在拐点电流附近长期工作。

六、焊接与可靠性建议

采用标准贴片回流焊工艺，遵循厂商推荐的温度曲线。由于器件体积小，焊接热应力及过热会影响性能与寿命，推荐做好焊接参数控制与良好 PCB 热扩散设计。长期使用应考虑热循环与湿度测试结果以满足可靠性要求。

七、总结

MM3Z8V2ST1G 提供了紧凑的 SOD-323 封装和 ±2% 的 8.2V 稳压精度，适合用于小功率稳压、钳位与基准场合。选用时应重点关注功率耗散、热管理与工作电流分配，确保器件在其电气和热极限内稳定工作，从而发挥良好的电压稳压与保护效果。