型号:

2N3904-TA

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-92_Forming1
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2N3904-TA 产品实物图片
2N3904-TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2N3904-TA TO-92 Y档
库存数量
库存:
1554
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0783
2000+
0.0702
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)625mW
直流电流增益(hFE)400@10mA,1V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

2N3904-TA(CJ 长电)产品概述

一、主要参数与特性

  • 器件类型:NPN 小信号三极管(BJT),型号 2N3904-TA
  • 封装:TO-92_Forming1(直脚成型)
  • 最大集电极电流 Ic:200 mA
  • 集—射击穿电压 Vceo:40 V
  • 最大耗散功率 Pd:625 mW(环境依赖,需考虑散热)
  • 直流电流增益 hFE:400 @ Ic=10 mA, VCE=1 V(高增益工况说明)
  • 特征频率 fT:300 MHz(高频性能良好)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(低漏电流)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):典型 300 mV(在 Ic=50 mA, Ib=5 mA 条件下)
  • 射—基击穿电压 Vebo:6 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶)
  • 数量:1 个

二、性能解读与典型应用

2N3904-TA 是一款通用型 NPN 小信号晶体管,hFE 在 10 mA 工况下可达 400,适合需要高增益的低功耗放大场合。fT=300 MHz 表明在射频前端或高频放大器中也有良好表现(实际可用带宽取决于电路环境和负载)。Ic 最大 200 mA、Vceo=40 V 的组合适用于中低电流开关和驱动应用,但由于 Pd 仅 625 mW,不适合长时间高功耗工作或大电流功率级别。低 Icbo(100 nA)带来较小的漏电流,有利于低静态电流电路和高阻抗输入场景。

典型应用包括:小信号放大(音频前级、传感器信号放大)、开关驱动(继电器、LED 小电流驱动)、射频前级及振荡器、缓冲和电平转换等。

三、典型电路与使用要点

  • 放大器:常用共射极或共集(发射跟随)配置,注意偏置稳定,建议在高增益工作点加入负反馈或旁路电容以控制频率响应与失真。
  • 开关:作为饱和开关使用时,应计算合适基极限流电阻,确保足够基流以进入饱和态,同时避免过大基流导致功耗上升。感性负载须并联续流二极管以吸收反向峰值。
  • 高频应用:利用其高 fT,可做射频放大与缓冲,但需注意布局、寄生电容与阻抗匹配。
  • 热管理:TO-92 封装散热能力有限,高 Ic 长时间工作需降额使用或加散热措施,避免超过 Pd 和芯片结温极限。
  • 保护:基—发反向击穿 Vebo=6 V,禁止较大反向电压;同时留意 Vceo 与器件的安全工作区(SOA)。

四、封装、选型与等效替代

  • 封装为 TO-92,适合通孔插装与少量手工焊接。不同厂家 TO-92 引脚顺序可能略有差异(正面朝向时常见为 E-B-C),使用前请核对厂商引脚图。
  • 选型时若需要更高功耗或电流,应选用功率更大的封装或功率型晶体管;若需更高频率或更稳定 hFE,可比较同类高频小信号管。常见等效型号有通用 2N3904(不同厂商型号后缀可能不同),但具体参数请以 CJ 提供的数据手册为准。

五、可靠性与注意事项

  • 避免在无适当限流时直接将基结反向偏置超过 Vebo,防止损坏。
  • 在焊接时注意温度和时间,避免超温影响封装或内部连接(参考厂家焊接规范)。
  • 对环境温度高或长期工作的场合,应做降额(derating)设计,确保结温在安全范围内。
  • 采购时确认批次与品质(CJ 长电品牌),查阅完整数据手册以获取典型能耗曲线、极限值和测试条件。

总结:2N3904-TA(CJ)是一款高增益、低漏电、适用于小信号放大与开关的通用 NPN 三极管,适合教学、原型设计及数量不大通用场合。设计时需关注功耗限制、基极保护与热管理,按需核对厂商数据表以获得可靠性能。