DTC113ZCA 产品概述

DTC113ZCA 是一款预偏置（数字）NPN 晶体管，适用于直接由逻辑电平驱动的小功率开关场合。器件由 YANGJIE（扬杰）提供，封装为 SOT-23，兼具集成基极限流和基极下拉功能，便于简化外围电路设计。

一、主要参数与性能亮点

• 集-射极击穿电压 Vceo：50 V
• 最大集电极电流 Ic：100 mA
• 功耗 Pd：200 mW（SOT-23，注意热限）
• 直流电流增益 hFE：33（条件 10 mA，VCE=5V）
• 最大输入关断电压 VI(off)：300 mV（保证截止）
• 输出饱和电压 VO(on)：约 300 mV（测试条件 Ic=10 mA，亦在低电流 0.5 mA 时给出参考）
• 内置输入电阻（基极限流）约 1.3 kΩ，内置基极下拉/放电电阻与限流电阻比约 12（用于防止漂浮）
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃

二、功能与内部结构说明

DTC113ZCA 为“数字晶体管”，内部集成了一只限流电阻（Rb ≈ 1.3 kΩ）与一只并联到发射极的下拉电阻（比例约为 1:12），因此可直接由 MCU 或 TTL/CMOS 输出端驱动而无需外接基极电阻。VI(off)=300 mV 表示输入低电平低于此值可确保器件处于截止状态，方便数字接口兼容。

三、典型应用场景

• MCU/逻辑电平直接驱动的小信号开关（LED、指示灯）
• 低电流继电器/小型电磁阀驱动（需考虑额定电流与功耗）
• 电平转换、脉冲驱动、信号整形与开集电极输出替代方案
• 作为下拉/上拉驱动的保护缓冲单元

四、使用要点与热管理建议

• 虽然 Ic 最大标称为 100 mA，但在 SOT-23 且 Pd=200 mW 的条件下，不建议长期在高电流和高 VCE 下工作。功耗 P = VCE × Ic，应保证在最大功耗内并考虑环境温度与封装热阻的降额。
• 例如在饱和状态（VCE≈0.3 V）开关 10 mA 时，耗散非常小；但若 VCE 较高（如开漏用于大负载），应核算功耗并避免接近 200 mW 极限。
• 驱动能力：以 hFE≈33（10 mA）估算，驱动 10 mA 集电极电流所需基极电流约 0.3 mA。内部 Rb≈1.3 kΩ，5 V 输入时可提供足够基极驱动电流，但在驱动接近 100 mA 时需谨慎（基极电流及热耗限制）。

五、接线与典型电路

• 常见低侧开关：负载一端接 VCC，另一端接到器件集电极，发射极接地，输入端接 MCU GPIO。器件在输入高电平时导通，将负载拉低。
• 避免在高压大电流应用中将开关长期工作在线性区，优先工作于饱和/截止切换以降低功耗。

六、封装与选型提示

• SOT-23 小封装适合空间受限电路板，但散热能力有限。若应用需要长时间大电流或较高 VCE，应选择更大功耗或带散热的器件。
• 选型时关注：工作电压、最大集电极电流、功耗余量、逻辑兼容性（VI(off) 与输入阈值）及工作温度范围（-55～+150 ℃ 满足工业级需求）。

总结：DTC113ZCA 为一款易于直接由数字信号驱动的预偏置 NPN 晶体管，适合中低功率开关场合，使用时应特别注意功耗与热降额，合理安排工作点即可获得可靠的开关性能。