YJGD20G10A 产品概述

一、主要规格与特点

YJGD20G10A 是扬杰（YANGJIE）推出的双通道 N 沟道场效应晶体管（2×N-channel），封装为 DFN5060，适用于中高压开关电源与电机驱动等场合。主要电气参数：耐压 Vdss = 100V，连续漏极电流 Id = 20A；导通电阻 RDS(on) = 17mΩ @ VGS=10V，21mΩ @ VGS=4.5V；阈值电压 VGS(th) ≈ 1.8V。工作温度范围宽 (-55°C ~ +150°C)，适配工业级环境。

二、电气性能要点

器件输入电容 Ciss = 1.051nF，输出电容 Coss = 399pF，反向传输电容 Crss = 18pF，栅极总电荷 Qg = 16nC（@10V）。较低的 RDS(on) 有利于降低导通损耗，而中等的 Qg 与 Ciss 表明在中高速开关频率下需匹配足够驱动能力。Crss 相对较小，有利于抑制米勒效应对开关过渡产生的不利影响。

三、典型应用场景

适用于同步整流、电源开关（升降压转换）、半桥/全桥驱动、无刷电机驱动、LED 驱动及工业控制电源等需要 100V 等级与较高电流能力的场景。双通道设计便于布局半桥或并联使用以提高电流承载能力。

四、使用建议与注意事项

• 驱动：推荐采用可提供 10V 门极电压的驱动器以获得最低 RDS(on)，在 4.5V 驱动下也能工作但导通损耗略高。驱动器需能短时间提供 Qg≈16nC 的电流峰值。
• 散热：在高电流工况下需注意 I^2R 导通损耗（例如 20A 时 P≈6.8W，按 RDS(on)=17mΩ 估算），建议加大铜厚、开大散热焊盘并布置过孔或散热片。
• 布局：尽量缩短漏-源和栅-源回路的环路面积，靠近器件放置旁路电容，减小寄生电感以降低开关振铃。
• 保护：建议在高 dV/dt 或反复开关场景中考虑 RC 吸收或死区管理以保护器件和驱动电路。

五、封装与可靠性提示

DFN5060 封装体积小、热阻相对较低，适合空间受限但需散热的应用。出货前应结合 PCB 实际热阻与工况做功耗及结温校核，确保不超过器件工作温度范围。建议在样品验证阶段进行热成像和长时老化测试以确认系统可靠性。