型号:

SN74HC00QDRQ1

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-14
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SN74HC00QDRQ1 产品实物图片
SN74HC00QDRQ1 一小时发货
描述:与非门-IC-4-通道-14-SOIC
库存数量
库存:
2208
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.33
2500+
1.27
产品参数
属性参数值
逻辑类型与非门
通道数4
工作电压2V~6V
静态电流(Iq)2uA
灌电流(IOL)5.2mA
拉电流(IOH)5.2mA
输入高电平(VIH)1.5V~4.2V
输入低电平(VIL)500mV~1.8V
输出高电平(VOH)1.9V;5.48V;3.98V
输出低电平(VOL)100mV;100mV;400mV
系列74HC系列
传播延迟(tpd)15ns@6V,50pF
工作温度-40℃~+125℃
输入通道数2

SN74HC00QDRQ1 产品概述

一、产品简介

SN74HC00QDRQ1 是德州仪器(TI)提供的 74HC 系列四路与非门(4 × 2 输入 NAND),封装为 SOIC-14。每路为两个输入的与非门(输入通道数:2),工作电压范围宽(2.0 V ~ 6.0 V),适用于各类数字逻辑“胶水”电路与中速逻辑设计,兼顾低功耗与较快的开关速度。

二、主要电气参数

  • 逻辑类型:与非门(NAND),4 通道(每通道 2 输入)
  • 工作电压:2.0 V ~ 6.0 V
  • 静态电流(Iq):典型 2 μA(低静态电流,适合低功耗应用)
  • 输出驱动:拉/灌电流 IOH/IOL = 5.2 mA(负载驱动能力参考)
  • 输入门限:VIH = 1.5 V ~ 4.2 V,VIL = 0.5 V ~ 1.8 V(随 VCC 与条件变化)
  • 输出电平示例(随 VCC 与负载变化):VOH = 1.9 V;5.48 V;3.98 V
  • 输出低电平示例:VOL = 100 mV;100 mV;400 mV
  • 传播延迟(tpd):15 ns @ VCC = 6 V, CL = 50 pF(典型)
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOIC-14(SN74HC00QDRQ1)

三、核心特性与优势

  • 宽电源电压范围(2–6 V),便于与不同电压域的系统接口。
  • 低静态电流(IQ ≈ 2 μA),适合电池供电或待机功耗敏感的应用。
  • HC 系列的 CMOS 架构在功耗与速度之间取了良好平衡,15 ns 的典型传播延迟在多数中速数字设计中可满足需求。
  • 标准 SOIC-14 封装,便于 PCB 布局和批量生产装配。

四、应用场景

  • 数字逻辑“胶水”电路与门组合、条件检测与触发电路。
  • 时序控制、状态机中用于实现逻辑判定或并行逻辑运算。
  • 与微控制器或 CPLD/FPGA 的接口电平调节(需注意输入阈值匹配)。
  • 消费类电子、工业控制、仪表与通信设备中的通用逻辑功能。

五、设计注意事项与推荐实践

  • 电源旁路:在 VCC 与 GND 之间放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,靠近器件电源引脚,以抑制瞬态噪声与保持稳定性。
  • 未使用的输入:HC 系列对悬空输入敏感,所有未使用的输入应连接至明确的高(VCC)或低(GND)电平,避免浮动导致功耗增加或输出抖动。
  • 负载与驱动:器件输出驱动能力 IOH/IOL ≈ 5.2 mA,若需驱动更大电流或苛刻负载(指示灯、大容量上拉/下拉),建议使用缓冲器或外部驱动器。
  • 电平兼容:在不同 VCC 下工作时,务必确认外部信号满足 VIH/VIL 要求;若两电压域差距较大(例如 1.8 V 与 5 V),应使用电平移位电路或有源接口。
  • 热与可靠性:在高频切换或高温环境下注意功耗累积与 PCB 散热设计,遵循 TI 的数据手册限制条件以保证长期可靠性。
  • ESD 与浪涌保护:HC 器件为 CMOS,建议在接口处采取适当保护措施(TVS、限流)以防止瞬态损伤。

六、封装与订购信息

该器件标识为 SN74HC00QDRQ1,厂商:TI(德州仪器),封装:SOIC-14。适合标准 SMT 生产流程,且可在 TI 官方渠道与授权分销商处采购。具体引脚图、封装尺寸与典型电路请参考 TI 的原厂数据手册与封装图纸。

总结:SN74HC00QDRQ1 是一款通用、低功耗且性能均衡的四路 2 输入与非门 IC,适合多数需实现基础组合逻辑的电子系统。在模块化设计和电平兼容性处理得当的前提下,它能为系统提供稳定可靠的逻辑功能。