型号:

SD12T1G

品牌:DOWO(东沃)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SD12T1G 产品实物图片
SD12T1G 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 TVS SOD323,Vc=20V,Ipp=18A,Ppp=400W VRWM=12V
库存数量
库存:
2989
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0837
3000+
0.0664
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)12V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)18A
峰值脉冲功率(Ppp)400W
击穿电压13V
反向电流(Ir)500nA
通道数单路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容100pF

SD12T1G 产品概述

一、产品简介

SD12T1G 是 DOWO(东沃)推出的一款单向瞬态抑制二极管(TVS),采用 SOD-323 小外形封装,专为抑制瞬态过压、保护敏感电子元件设计。该器件具有低漏电、高浪涌吸收能力与较低钳位电压,适用于小体积、高可靠性的消费电子、通信与工业接口保护。

二、主要电气参数

  • 极性:单向(用于正向工作点的瞬态钳位)
  • 反向截止电压 VRWM:12 V(稳压支撑电压/工作电压)
  • 击穿电压(Vbr):约 13 V
  • 钳位电压 Vc:20 V(在峰值脉冲电流条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:18 A
  • 峰值脉冲功率 Ppp:400 W(脉冲能量吸收能力)
  • 反向电流 Ir:典型 500 nA(常温,说明漏电极小)
  • 结电容 Cj:约 100 pF(对信号完整性有影响)
  • 通道数:单路
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 静电放电抗扰标准
  • 封装:SOD-323(小型表贴)

三、关键特性说明

  • 高频信号影响:结电容约 100 pF,在高速数据线(USB、PCIe 等)或高频射频路径上可能造成信号失真或带宽降低,应在选型时权衡。
  • 低漏电:反向电流仅 500 nA,适合对待机功耗敏感的电源与接口电路。
  • 强浪涌抑制:在规定的脉冲条件下,器件可承受高达 400 W 的峰值脉冲功率和 18 A 的峰值脉冲电流,能有效钳制瞬态过压至约 20 V。
  • 宽工作温度:-55 ℃ 至 +125 ℃,满足工业级环境应用需求。
  • 小尺寸封装:SOD-323 封装利于空间受限的 PCB 布局并支持自动贴装生产。

四、典型应用场景

  • USB、串口、以太网等信号接口的过压与静电防护。
  • 汽车电子(符合温度与冲击要求的外围保护电路;需核实汽车级认证)。
  • 工业控制器、传感器接口以及消费类产品的输入端防护。
  • 电源浪涌保护,用于12 V 左右工作电压的电源轨保护。

五、封装与可靠性

SOD-323 小型化封装利于贴片生产与高密度 PCB 布局,适用于空间受限应用。器件工作及存储温度范围广,满足一般工业环境耐受性要求。符合 IEC 61000-4-2 表示具备一定等级的静电放电抗扰能力,但实际设计中仍建议配合合理的 PCB 接地、旁路与走线布局以提高整体保护效果。

六、选型与使用建议

  • 若用于高速信号线,注意结电容对信号完整性的影响;必要时选择更低 Cj 的 TVS 或在靠近连接器处并用阻抗匹配措施。
  • 将 TVS 尽可能靠近受保护端口进行布局,短且宽的接地回流路径可降低钳位电压并提升吸收效率。
  • 对于高能量或重复脉冲环境,验证封装散热与长期可靠性;若脉冲能量超出规格,应考虑更大功率的器件或多级保护方案。
  • 在电源轨应用时,确认 VRWM 与系统工作电压匹配,确保不会在正常工作条件下触发导通。

总结:SD12T1G 在小型封装下提供了平衡的钳位电压、较高的脉冲吸收能力与低漏电特性,适用于多数要求中等能量抗浪涌与静电保护的电子接口场景。