型号:

1SMA4755A

品牌:晶导微电子
封装:SMA
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
1SMA4755A 产品实物图片
1SMA4755A 一小时发货
描述:稳压二极管 独立式 43V 40.9V~45.6V 1uA@32V
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5000+
0.092
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
稳压值(标称值)43V
反向电流(Ir)1uA@32V
稳压值(范围)40.9V~45.6V
耗散功率(Pd)1W
阻抗(Zzt)70Ω
工作结温范围-55℃~+150℃

1SMA4755A 产品概述

一、产品概述

1SMA4755A 是晶导微电子推出的一款独立式稳压二极管,封装采用常用的 SMA(DO-214AC)外形。该器件标称稳压值为 43V,合格范围为 40.9V~45.6V,反向漏电流 Ir 为 1μA(测量条件 32V),稳压耗散功率 Pd 为 1W,动态阻抗 Zzt 为 70Ω,工作结温范围为 -55℃ ~ +150℃。该器件适用于中高压稳压、浪涌钳位、参考源等场合,具有体积小、使用方便、成本低等优点。

二、主要电气参数(关键指标)

  • 标称稳压值(Vz):43V
  • 稳压值范围:40.9V ~ 45.6V
  • 反向电流(Ir):1μA @ 32V
  • 最大耗散功率(Pd):1W(在器件适当散热条件下)
  • 动态阻抗(Zzt):70Ω
  • 工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SMA(便于自动贴片/手工焊接)

三、器件特性与优势

  • 稳压精度:43V 的标称值及 40.9V~45.6V 的容差范围,适用于需要中高压参考或稳压的场合。
  • 低漏电:在 32V 条件下反向漏电仅 1μA,有利于低功耗待机或高阻抗测量电路。
  • 抗冲击能力:作为独立式稳压二极管,常用于瞬态过压钳位与浪涌抑制,使用简单可靠。
  • 宽温度范围:适用于工业级温度环境(-55℃ ~ +150℃),可靠性高。
  • 封装优势:SMA 封装易于批量生产、焊接和替换,且散热性能较小封装有所保证。

四、典型应用场景

  • 电源参考与基准:作为 43V 参考源或辅助稳压元件用于电源模块中。
  • 浪涌/过压保护:与串联限流电阻或电感配合,用于钳位电压,保护后级电路免受过压损害。
  • 限压/钳位电路:在信号链或通信设备中对异常高电压进行保护。
  • 功率管理与工业控制:适用于中高压直流总线的局部稳压与保护。

五、选型与使用建议

  • 工作电流选择:由于 Pd=1W,使用时需计算稳压电流 Iz 及最大承受电压差,确保在最坏散热条件下器件耗散功率不超过额定值。计算示例:若输入 Vin=60V,期望稳压在 43V,若选择 Iz=5mA,则串联电阻 R=(Vin−Vz)/Iz=(60−43)/0.005=3.4kΩ;此时器件耗散 Pd≈Vz·Iz≈43V×5mA=0.215W,低于额定 1W,安全可行。
  • 考虑瞬态峰值:实际应用中要考虑浪涌电流和瞬态能量,必要时增加功率裕量或外加限流元件(电阻、NTC、电感)和吸收元件(TVS)。
  • 温度与散热:Pd 标注通常在规定散热条件下给出,实际使用应对环境温度和印制板散热进行降额设计,以防结温上升导致可靠性下降。
  • 动态阻抗影响:Zzt=70Ω 表示在稳态电流变化时存在显著的动态压降,若需精密稳压应选择动态阻抗更低的方案或配合稳压放大器使用。

六、封装与焊接注意

  • 封装类型:SMA(DO-214AC),尺寸紧凑,便于自动装配和波峰/回流焊接。
  • 焊接建议:遵循晶导微电子的焊接工艺规范,避免过高峰值温度和过长回流时间,以防封装应力或性能退化。对于手工焊接,避免在封装主体上长时间加热。
  • PCB 布局:为保证散热,建议在器件下方或附近预留铜箔散热区,并尽量减少热阻路径。

七、可靠性与储存

  • 储存环境:避光、防潮、防尘并保持干燥的环境,长期储存建议使用干燥剂和密封包装。
  • 静电防护:器件在搬运和装配过程中应采取 ESD 防护措施,防止静电损伤。
  • 可靠性试验:推荐在最终产品中进行实际工况下的温升、耐压及浪涌耐受试验,验证长期可靠性。

八、选购与型号信息

  • 型号:1SMA4755A
  • 品牌:晶导微电子
  • 封装:SMA 购买时请向供应商确认原厂规格书(Datasheet)以获取完整电气特性曲线、封装尺寸及推荐焊接曲线,便于在设计中准确计算和验证。

总结:1SMA4755A 是一款适用于中高压稳压与过压保护的独立式稳压二极管,具有较低漏电、宽温度范围和通用 SMA 封装,适合电源保护与参考应用。设计使用时应重点关注功耗计算、散热设计与瞬态耐受能力,确保长期稳定可靠运行。