型号:

BPW77NB

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-18
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
BPW77NB 产品实物图片
BPW77NB 一小时发货
描述:850 nm ± 10° Narrow Angle Photo Sensitivity Silicon NPN Phototransistor -
库存数量
库存:
2000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
11.02
1000+
10.71
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)70V
集电极电流(Ic)50mA
耗散功率(Pd)250mW
暗电流100nA
峰值波长850nm
视角10°
工作温度-40℃~+125℃
集射极饱和电压(VCE(sat))0.3V@1mA

BPW77NB 产品概述

一、产品简介

BPW77NB 是一款由 VISHAY(威世)生产的窄视角硅光电三极管(NPN),封装为金属 TO-18 小型金属罐。器件在近红外区有峰值响应,峰值波长约为 850 nm,视角窄(约 10°),适合需要方向性和较高聚焦灵敏度的光电检测场合。器件的最大集射极击穿电压为 70 V,适合多种低功耗光电接口设计。

二、主要特性

  • NPN 光电三极管结构,输出为集电极电流(光电电流);
  • 峰值响应 850 nm,窄视角约 10°,适用于点光源对准或狭缝/光栅检测;
  • 最大集电极电流 Ic = 50 mA,适应瞬态较高光电流需求(设计时应考虑功耗与散热);
  • 耗散功率 Pd = 250 mW,器件在 TO-18 金属封装下具有一定散热能力;
  • 暗电流(漏光电流)约 100 nA,利于高灵敏度低光照条件下的信噪比控制;
  • 集—射极饱和电压 VCE(sat) = 0.3 V @ IC≈1 mA,便于作为开关使用时实现较低压降;
  • 工作温度范围宽:-40 ℃ ~ +125 ℃,适合工业级应用。

三、电气与光学参数(关键指标)

  • 峰值波长:850 nm(近红外),与常见红外发光二极管配对良好;
  • 视角:约 10°(半角),用于要求较高方向性的检测,如光栅、编码器或光纤对准;
  • 最大集电极电流:50 mA(瞬态/绝对最大值),长期工作建议远低于最大值以保证可靠性;
  • 耗散功率:250 mW(器件总耗散)— 结合工作电压决定安全电流;
  • 暗电流:≈100 nA,影响静态误差和最低可检测光强;
  • 饱和电压:0.3 V @ 1 mA,适合作为数字开关输出时的低电平。

示例电阻计算(参考):

  • 若 VCC = 5 V,期望测得 IC ≈ 1 mA 且进入饱和,电阻 R ≈ (5 − 0.3) / 1 mA ≈ 4.7 kΩ;
  • 暗电流 100 nA 与 R = 100 kΩ 时引起的电压误差约 10 mV,可用于判断拉高电阻选择对静态精度的影响。

四、典型应用

  • 红外光电开关、反射式/穿透式光电传感器;
  • 编码器和光栅检测(因窄视角利于提高空间分辨率);
  • 近红外遥控/通信接收前端(与 850 nm 发射器匹配);
  • 小型自动化与机器人近距障碍或线跟踪传感;
  • 工业检测中需要方向性高、抗环境漫射光干扰的场合。

五、使用建议与电路要点

  • 常见连接:发射极接地,集电极通过上拉电阻接至 VCC;输出在集电极处采样。为了线性工作,应避免过度饱和,选择合适上拉电阻以在期望光照下获得合适电压范围。
  • 功率与散热:尽管 TO-18 有良好热传导,长时间大电流(接近 50 mA)会导致功耗接近器件极限。建议连续工作电流显著低于最大 IC,必要时采用散热片或降低工作电压。
  • 环境与封装:金属封装抗机械冲击与电磁屏蔽性能良好,适合工业环境;但在强外部光或直接太阳光下,窄视角可减小背景光干扰,但仍需光学遮蔽设计以提高可靠性。
  • 静态误差:暗电流约 100 nA,在超低光照检测应用中需考虑其对零点漂移的影响,必要时采用电流放大或差分测量。

六、选型与采购建议

选择 BPW77NB 时,请依据峰值波长(850 nm)与光源一致性、视角需求、以及最大电流/功耗限制。工业级工作温度(-40~+125 ℃)使其适合多数工业应用。最终设计前建议参阅 VISHAY 官方数据手册获取完整电气特性曲线与封装尺寸,确认焊接与安装工艺。购买时注明型号、封装(TO-18)及品牌(VISHAY),必要时索取样品进行系统级评估。