TFZVTR3.9B 产品概述

TFZVTR3.9B 是 ROHM（罗姆）提供的一款独立式稳压二极管，标称稳压值为 3.9V，适用于小型化、低功耗的基准/稳压场合。器件采用 SOD-323HE 超小封装，具备较低的动态阻抗和稳定的反向特性，适合便携式和空间受限的电路板上作为简易稳压或电压钳位元件使用。

一、主要参数概览

• 型号：TFZVTR3.9B（ROHM / 罗姆）
• 配置：独立式（分立稳压二极管）
• 标称稳压值：3.9 V
• 稳压值范围：3.89 V ~ 4.16 V
• 反向漏电流（Ir）：5 μA @ 1.0 V
• 耗散功率（Pd）：500 mW（最大耗散功率）
• 稳压阻抗（Zzt）：50 Ω
• 封装：SOD-323HE（小型表面贴装封装）

二、器件特性与优势

• 稳压精度：标称 3.9V，对应规格范围稳定（3.89V~4.16V），在低压参考与小电流稳压场合能提供可预测的电压水平。
• 低漏电流：在 1.0V 条件下反向漏电约 5 μA，适合对静态功耗敏感的低功耗设计。
• 中等功率能力：500 mW 的耗散能力在小封装下表现良好，可支持短时或低电压差时的中等电流稳压需求。
• 较低动态阻抗：Zzt 为 50 Ω，有利于在稳压电流变化时维持较稳定的输出电压，改善负载瞬态响应。
• 小型封装：SOD-323HE 体积小，适合高密度 PCB 布局及便携设备。

三、电气性能说明（要点）

• 稳压值的规定范围表明器件在规定测试条件下的电压波动，设计时应按最差值（如最大 4.16V）考虑系统容忍度。
• 动态阻抗 50 Ω 表示在测试电流下二极管的小信号阻抗，阻抗越低，稳压时电压随电流变化越小。
• 500 mW 为封装在规定环境温度下的最大耗散，应结合实际工作电压差及环境温度做热管理与电流限制。

四、封装与安装要点

• SOD-323HE 为小型表面贴装封装，适合自动贴装与回流焊工艺。焊接时遵循制造商推荐的回流温度曲线与时间，以避免过热。
• 小封装热阻较大，持续靠近最大耗散功率工作时需注意温升。建议在 PCB 布局时提供适当的散热路径或减小串联功耗分担热量。
• 贴片过程中注意静电防护（ESD），并遵守储存湿度与回流前的烘焙要求（参考厂商数据手册）。

五、典型应用场景

• 精简型基准电压源（低至中等精度）
• 小电流参考或偏置电路
• 输入浪涌钳位或过压保护（对敏感信号线进行局部限制）
• 可替代微控制器或模拟电路的低压稳压与基线偏置
• 便携式、手持设备及消费电子的小型稳压需求

六、设计与使用建议

• 最大稳压电流（理论值）：在理想条件下，Iz(max) ≈ Pd / Vz ≈ 0.5 W / 3.9 V ≈ 128 mA。但由于 SOD-323HE 的散热限制，不建议长期在该电流下工作；在实际设计中应采用更保守的电流（例如数十 mA 以下）并预留热余量。
• 选择串联限流电阻时，可用公式 R = (Vin - Vz) / (Iload + Iz)，其中 Iz 为流过稳压二极管的工作电流（维持稳压所需）。
  • 示例：若 Vin = 12 V，目标负载 Iload = 10 mA，选定 Iz = 5 mA，则 R = (12 - 3.9) / (10 + 5) mA ≈ 540 Ω。
• 对于更稳定的输出，优先在稳压二极管两端并联小电容以抑制高速噪声和瞬态振荡，但须防止因电容造成回路启动问题。
• 注意在高环境温度下耗散能力下降，必要时降低工作电流或增加散热措施。

七、选型提示与替代考虑

• 若系统要求更高稳压精度或更低静态电流，可考虑带参考输出或集成稳压IC；若仅需体积极小且成本低的基准，TFZVTR3.9B 是合适选择。
• 在需要更高功率或更低动态阻抗的场合，可选用更大封装或专用低阻抗稳压二极管系列。

八、总结

TFZVTR3.9B 是一款面向小型化、低功耗应用的 3.9V 独立式稳压二极管，具备 3.89V~4.16V 的稳压范围、5 μA 的低漏电、50 Ω 的动态阻抗以及 500 mW 的耗散能力。凭借 SOD-323HE 小封装，适合便携式及空间受限电路的基准与钳位用途。设计时应结合封装散热特性、实际电流及环境温度，合理选取限流与工作点，以保证长期可靠运行。若需更详细的电气特性曲线及回流焊工艺参数，建议参阅 ROHM 官方规格书。