型号:

VOS618A-3T

品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-4-175mil
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
VOS618A-3T 产品实物图片
VOS618A-3T 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 50mA 3.75kV 1.1V
库存数量
库存:
3057
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.73
3000+
1.64
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.1V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压80V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))120mV@1mA,0.25mA
上升时间(tr)5us
下降时间7us
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值100%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值200%
总功耗(Pd)170mW
正向电流(If)50mA

VOS618A-3T 产品概述

一、产品简介

VOS618A-3T 是 VISHAY(威世)出品的一款单通道晶体管输出光电耦合器,采用 SOIC-4(175 mil)封装。器件输入端为直流驱动的发光二极管,输出端为 NPN 光电三极管,适合在需要高压隔离与逻辑接口隔离的场合进行信号传递与电气隔离。

二、主要技术参数

  • 输入类型:DC(发光二极管)
  • 正向压降 Vf:1.1 V(典型)
  • 正向电流 If(最大):50 mA
  • 输出类型:光电三极管(NPN)
  • 最大输出电流:50 mA
  • 最大负载电压:80 V
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):典型 120 mV(条件:IC=1 mA,IF=0.25 mA)
  • 隔离电压 Vrms:3.75 kV(3750 Vrms)
  • 直流反向耐压 Vr:6 V
  • 电流传输比 CTR:最小 100%,最大/饱和值 200%
  • 上升/下降时间 tr/tf:5 μs / 7 μs
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +110 ℃
  • 总功耗 Pd:170 mW
  • 输出通道数:1

三、关键特性

  • 高隔离强度:3.75 kVrms 的隔离能力,满足工业控制与电源侧隔离需求。
  • 低饱和压降:在轻负载条件下 VCE(sat) 低至约 120 mV,有利于减少开关损耗与提高信号完整性。
  • 宽电压与电流范围:输出可驱动高达 80 V 负载,输入允许较大正向电流(最高 50 mA),适应性强。
  • 响应速度适中:tr=5 μs、tf=7 μs,适合一般数字信号隔离与中低速数据传输应用。
  • 商业与工业温度等级:-55~+110 ℃,可靠性高,适应恶劣环境。

四、典型应用场景

  • 工业控制与 PLC 信号隔离
  • 开关电源的次级与主级信号隔离
  • 电机驱动与反馈信号隔离
  • 测试测量仪器中逻辑电平隔离
  • 通用数字接口隔离(继电器替代、驱动器接口)

五、设计与使用建议

  • 驱动电阻选择:以 5 V 驱动、目标 IF=1 mA 为例,R = (5 V − 1.1 V) / 1 mA ≈ 3.9 kΩ;若要求更大 CTR 或更快响应,可适当提高 IF,但不超过器件 If 最大额定值 50 mA。
  • 饱和与负载考量:若需保证输出在低电平时达到足够电流(如 IC≈1 mA),参考标称 CTR,并确保 IF 足以驱动所需 IC。
  • 隔离与布局:为充分利用 3.75 kVrms 隔离能力,PCB 需保证器件两侧足够的爬电距离与空气间隙,并遵循相关安规间距设计。
  • 热管理与功耗:总功耗 Pd 标称 170 mW,注意在高环境温度或持续大电流条件下进行热速降与电流限流设计。
  • 可靠性:在极端温度或长期工作条件下,CTR 会随温度变化而漂移,系统设计应留有裕量。

六、封装与订购信息

  • 品牌:VISHAY(威世)
  • 封装:SOIC-4,175 mil 宽度
  • 通道数:单通道(1)
    选型时请根据实际工作电流、响应速度与隔离等级确认物料号 VOS618A-3T,并参考厂商完整数据手册以获取引脚排列、典型电路图及合规与可靠性测试数据。