SB05W05C-TB-E 产品概述

一、主要特性

• 器件类型：肖特基二极管阵列，1 对共阴极（两只二极管共用阴极引脚）
• 正向压降：Vf = 0.55 V @ If = 500 mA（典型值）
• 直流反向耐压：Vr = 50 V
• 连续整流电流：If(AV) = 500 mA
• 反向电流：Ir = 50 μA @ Vr = 25 V（25°C）
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 5 A（单次脉冲）
• 工作结温范围：Tj = -55 °C ~ +125 °C
• 封装：表面贴装，SC-96 / CP-3（紧凑型、适合高速贴片组装）
• 品牌：ON Semiconductor（安森美）

二、产品描述

SB05W05C-TB-E 是安森美推出的紧凑型肖特基二极管阵列，内部为一对共阴极配置（common cathode），适用于低压快速整流与保护电路。肖特基结构保证了较低的正向压降和极快的开关响应，相比普通硅整流二极管在低压差功率转换中能显著降低损耗与发热。器件为表面贴装型，适合自动化回流焊装配与空间受限的 PCB 设计。

三、关键电气参数（实用解读）

• 低正向压降（0.55 V @ 500 mA）：在大电流工作下仍保持较低压降，有利于降低导通损耗（P ≈ Vf × I）。在 500 mA 连续整流条件下，每只二极管功耗约 0.275 W（未计 PCB 散热影响），需要合理的板级散热设计。
• 50 V 反向耐压：适合一般 12 V~48 V 电源环境的整流、二极管隔离及反向保护应用，但不适合更高耐压场景。
• 低反向漏电（50 μA @ 25 V）：在待机、断电或高阻态时漏电较小，有利于降低静态功耗。不过需注意随结温升高漏电会增加，应参考完整温度特性曲线进行热设计。
• 峰值浪涌能力 5 A：能承受电源通断或短时冲击电流，但这是非重复脉冲能力，常规设计中不应作为持续过流指标。

四、封装与机械优势

• SC-96 / CP-3 表面贴装封装体积小、厚度低，适合空间受限的消费电子与工业控制板。
• 适用于自动贴片机与回流焊工艺，便于大批量生产。
• 共阴极引脚布局便于多种桥式或双路整流拓扑的实现，例如作为双通道整流器、二路电源输出或共用负极的保护电路。

五、典型应用场景

• 开关电源输出整流（低压输出）
• 反向保护与防反接电路
• 电源二选一切换与二极管隔离（共阴极便于实现双路输入并切换）
• 低压降整流与功率管理（充电器、适配器）
• 保护二极管、钳位与回流阻断（配合 MOSFET、控制器）

六、热管理与可靠性建议

• 虽然器件具有 500 mA 连续能力，但实际允许的电流取决于 PCB 散热面积与环境温度。请在设计中为二极管周围预留较大的铜箔散热区域，必要时采用多层板铜通孔增强散热。
• 高温下反向漏电增大，建议在高温工况或靠近热源的布局中进行额外保守裕量或使用更高 Vr 和更低 Ir 的器件。
• 峰值浪涌（Ifsm）用于短时冲击，应避免频繁或长时间发生。对于需要经常承受浪涌的场合，考虑选用更高 Ifsm 规格或增加限流保护。

七、设计与使用注意事项

• 依据实际工作电流和允许温升选择合适的 PCB 铜箔面积并验证结温不超过 +125 °C。
• 在高可靠性设计中，检查温度依赖的 Ir 和 Vf 曲线，并在最坏工况下确认系统功能。
• 遵循厂商推荐的回流焊温度曲线与湿敏等级（MSL）要求，防止焊接引起的器件损伤。
• 当用于高频开关电源输出时，评估肖特基的恢复特性与寄生电容对效率与 EMI 的影响。

八、采购与替代建议

• 型号：SB05W05C-TB-E（ON/安森美），适合需要小型化、低 Vf 和中等电流能力的整流/保护方案。
• 在需要更高电流或更高 Vr、或更低漏电的场合，可参考厂商同系列或其它供应商的高功率肖特基选型。选型时关注 Vf@If、Vr、Ir@Vr 以及 Ifsm 等关键参数的匹配。

总结：SB05W05C-TB-E 提供了低正向压降、适度耐压与良好浪涌能力的共阴极肖特基二极管阵列，非常适合 12 V/24 V 等低压电源的整流和保护用途。合理的 PCB 热设计与温度管理能够确保器件在长期工况下的稳定与可靠。若需详细的电气特性曲线、封装尺寸与回流焊工艺参数，请参考安森美官方数据手册。