PESD36VS2UT 产品概述

一、产品简介

PESD36VS2UT 是由 UMW（友台半导体）推出的一款双路单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用 SOT-23 小封装设计，专为高速信号线和电源线的静电放电（ESD）及浪涌脉冲防护而优化。器件在极小的占板面积下提供可靠的瞬态浪涌吸收能力，适合便携设备、通信接口、工业控制等多类应用。

二、主要参数

• 极性：单向（Unidirectional）
• 反向稳态电压 VRWM：36 V
• 击穿电压 Vbr：44 V
• 钳位电压（典型）：60 V（对应 8/20 μs 峰值脉冲）
• 峰值脉冲电流 Ipp：2.5 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：160 W @ 8/20 μs
• 反向漏电流 Ir：1 μA（静态）
• 结电容 Cj：17 pF（典型）
• 通道数：双路（双通道）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）
• 封装：SOT-23

三、主要特性

• 双路集成，节省 PCB 空间，便于并列保护两路信号或信号与地的组合保护。
• 单向结构对正向浪涌提供低阻路径，钳位电压低，有效限制受保护节点电压峰值。
• 低漏电流（1 μA 级）适合对静态功耗敏感的系统。
• 较小的结电容（约 17 pF）有利于保持信号完整性，适用于高频信号路径。
• SOT-23 封装方便自动贴片加工，适合量产装配需求。

四、典型应用场景

• USB、串口（UART/RS-232/RS-485）以及其他数字接口的输入/输出保护；
• 电源线和通信线的瞬态浪涌保护；
• 工业控制终端、智能家居、手持设备、物联网节点等受外界静电或浪涌影响的电子设备。

五、封装与布局建议

PESD36VS2UT 的 SOT-23 小型封装便于在靠近受保护引脚处布局。为达到最佳防护效果，建议：

• TVS 器件靠近受保护端口并与地线最短路径连接；
• 使用宽且低阻抗的地平面，避免长细的回流路径；
• 对高频信号线尽量缩短走线并避免绕过大环路，以降低寄生感抗对保护效果的影响。

六、选型与兼容性注意

该器件的 VRWM 为 36 V、Vbr 44 V，适合保护最高工况接近该电压等级的系统；若实际工作电压或冲击能量更高，应选用更高电压或更大功率等级的 TVS。结电容 17 pF 对高速差分信号（如高速 USB、HDMI）有一定影响，选型时需权衡信号完整性与防护性能。

七、可靠性与合规

PESD36VS2UT 针对 IEC 61000-4-2 ESD 类别进行了设计与验证，能提供可靠的瞬态抑制能力。实际使用时建议结合系统级测试（包含接地、屏蔽与滤波）以确保整机达标。

以上为 PESD36VS2UT 的产品概述与使用建议，如需针对此器件的典型浪涌波形、引脚定义图或 PCB 参考封装图（land pattern），可进一步提供详细资料以便给出更具体的应用指导。