MMBZ5V6ALT1G 产品概述

一、简介

MMBZ5V6ALT1G（UMW/友台半导体）是一款双路、单向表面贴装瞬态电压抑制（TVS）二极管，专为高速数据线与电源线路提供静电放电（ESD）与脉冲浪涌保护。器件封装为SOT-23，体积小、易于PCB集成，适合消费电子、通信设备与工业接口的防护设计。

二、主要参数

• 极性：单向
• 反向截止电压 Vrwm：3 V（典型应用工况下）
• 击穿电压 Vbr：5.6 V
• 钳位电压 Vc：约 8 V（在脉冲峰值电流条件下）
• 峰值脉冲功率 Ppp：24 W @ 1.0 ms（器件总体能量吸收能力）
• 峰值脉冲电流 Ipp：3 A（对应 8 V 钳位时的近似值）
• 反向泄漏电流 Ir：5 μA（静态漏电性能）
• 通道数：双路（两个独立保护通道）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 ESD 标准
• 封装：SOT-23（贴片）

三、特点与优势

• 双路集成，节省PCB面积，便于对两路信号或差分线同时防护；
• 单向结构适用于需要方向性保护的电源或信号线；
• 低漏电流（5 μA）在高阻耗或电池供电系统中减少静态功耗；
• 24 W@1ms 的瞬态吸收能力，结合约 8 V 的钳位，能有效限制瞬态电压对下游器件的冲击；
• SOT-23 小封装利于自动贴装与批量生产。

四、典型应用

• USB、串口与差分数据线的ESD/浪涌保护；
• 手机、平板与消费类电子的接口保护；
• 工业控制器或传感器接口的输入保护；
• 需要小体积、低漏电和中等能量吸收能力的电源和信号线路防护。

五、设计与使用注意事项

• 将器件尽量靠近被保护端口放置，走线最短以降低环路电感；
• 若系统可能承受高于标称 Ppp 的脉冲，需在设计中考虑串联限流或更高能量器件；
• 在高温或长期连续冲击工况下，应参考热降额曲线对 Ppp 进行适当降额；
• 对敏感模拟或高速差分线，验证钳位电压与系统工作电压的兼容性，避免误触发。

六、封装与焊接建议

SOT-23 封装支持常规回流焊接工艺。推荐遵循SMT回流曲线的温度与时间限制，焊盘和地面铜皮要合理布局以利散热。生产前建议在实际PCB上做焊接工艺验证与ESD脉冲测试。

七、质量与认证

该器件符合 IEC 61000-4-2 ESD 测试要求（作为设计参考），在选型与验证阶段仍建议客户在目标系统上完成实际抗扰度测试，以确保整机可靠性。

总结：MMBZ5V6ALT1G（UMW）以其双路集成、小体积与中等能量吸收能力，适用于对尺寸与功耗敏感且需要可靠ESD/浪涌保护的各类电子设备接口场景。