型号:

ESD0524P

品牌:UMW(友台半导体)
封装:DFN2510-10
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESD0524P 产品实物图片
ESD0524P 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) ESD0524P
库存数量
库存:
5238
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.119
3000+
0.0946
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压16V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)80W@8/20us
击穿电压9.5V
反向电流(Ir)100nA
通道数四路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.3pF;0.8pF

ESD0524P 产品概述

一、产品简介

ESD0524P 是友台半导体(UMW)推出的一款四路静电与浪涌保护器件,封装为 DFN2510-10,主要用于对 5V 等低电压高速信号线的静电放电(ESD)和浪涌(Surge)保护。器件类型为 TVS/ESD,针对 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 与 IEC 61000-4-5 等电磁兼容抗扰度标准提供保护能力,适合消费电子、通信及工业控制等场景。

二、主要特性

  • 钳位电压(Vc):16V(典型峰值响应时)
  • 击穿电压(Vbr):9.5V
  • 反向截止电压(Vrwm):5V(适配 5V 信号系统)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):80W @ 8/20μs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):4A @ 8/20μs
  • 反向电流(Ir):100nA(典型,低泄漏)
  • 结电容(Cj):0.3pF / 0.8pF(低电容版本适合高速信号)
  • 通道数:4 路
  • 封装:DFN2510-10(紧凑型,利于靠近接口布局)

三、关键参数说明

  • Vrwm 5V 表明器件在正常工作电压下(≤5V)保持高阻,不会导通,适合保护 USB、I2C、TTL 等 5V 逻辑或接口。
  • Vbr(9.5V)为器件开始导通的击穿电压,超过该点器件进入导通以引导过压至钳位电压。
  • 钳位电压 16V 是在冲击过程中对被保护节点的最大限制值,越低越能更好保护下游电路。
  • Ppp 与 Ipp 指示器件在短时浪涌(8/20μs)条件下的能量吸收能力与电流承受能力,应避免长期或重复超过该限值。
  • 极低的结电容(0.3pF/0.8pF)有利于保持信号完整性,适用于高速数据线保护。

四、典型应用场景

  • USB 2.0/串口等 5V 信号接口防护
  • 摄像头/显示器接口(MIPI/TTL)旁路保护(需核对接口电平)
  • SIM 卡、按键矩阵及外部 I/O 接口的 ESD 保护
  • 工业与通信设备的多通道接口保护,靠近连接器或插头处布局最佳

五、封装与可靠性

DFN2510-10 紧凑封装便于在空间受限的 PCB 上靠近受保护端口放置,减小引线感抗与感应路径。器件通过 IEC 61000-4-2(静电放电)、IEC 61000-4-4(瞬态电磁脉冲)和 IEC 61000-4-5(浪涌)等试验等级验证,满足常见产品的电磁兼容性要求。

六、使用建议

  • 建议将 ESD0524P 靠近受保护的连接器或端子放置,尽量缩短走线并直接回流至接地平面。
  • 对高速信号通道选择低电容(0.3pF)版本以减小信号失真;对一般 I/O 可选 0.8pF。
  • 注意峰值功率与电流限制,避免在无热沉或不当环境下反复承受超过额定冲击。
  • 在疑问方向性(单向/双向)或并联配置时,请参照详细数据手册以确认接线与极性要求。

若需器件详细管脚说明、典型等效电路或 PCB 布局示例,请提供对接的电路类型与应用场景,我可基于具体需求给出更精确的设计建议。