SPW16N50C3 产品概述

SPW16N50C3 是英飞凌（Infineon）推出的一款高耐压 N 沟道功率 MOSFET，封装为 TO-247，适用于高压开关电源和功率控制场景。该器件以 500V 漏源耐压和良好的导通及开关特性为设计目标，提供可靠的开关性能和便捷的散热安装方式，适合要求高耐压与中等电流能力的电力电子应用。

一、主要性能参数

• 器件型号：SPW16N50C3（Infineon）
• 极性：N 沟道
• 漏源耐压 Vdss：500 V
• 连续漏极电流 Id：16 A
• 导通电阻 RDS(on)：280 mΩ @ 10 A
• 最大耗散功率 Pd：160 W
• 总栅极电荷 Qg：66 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：1.6 nF @ 25 V
• 反向传输电容 Crss：30 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：TO-247，便于螺栓或插座固定与散热

二、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）高压侧开关或整流开关
• 功率因数校正（PFC）电路
• 断路器/逆变器中的高压开关单元
• 电机驱动与工业控制的高压中间环节
• 大功率 LED 驱动与电子镇流器

三、器件特性与设计要点

• 高耐压 500 V 结合 16 A 连续电流能力，适合离线电源一次侧或高压开关应用。
• 较大的栅极电荷（Qg = 66 nC）表明开关时需驱动较大电流，选用驱动器时应注意峰值驱动能力以控制开关速度与损耗。
• 输入电容 Ciss 与反向传输电容 Crss 尺寸对开关损耗及米勒效应影响明显，电路设计时需考虑栅极阻尼与吸收网络以抑制过渡振荡。
• Pd = 160 W（典型条件下）意味着必须采用充分的散热管理，TO-247 易于与大尺寸散热片或强制风冷结合使用。

四、散热与可靠性建议

• 推荐在实际工况下参考器件的热阻并进行结-壳、结-散热片温度计算，必要时采用绝缘垫或绝缘螺柱以兼顾安全与热传导。
• 在高频切换应用中，合理选择栅极电阻（基于驱动器能力与允许的开关损耗）并加装 RC 吸收或 TVS 以限制过压及环路振荡。
• 注意在极限温度下的额定退让，设计时留有余量以保证长期可靠性。

五、注意事项

• 若工作在脉冲或极端 SOA 条件下，请参见官方数据手册以确认脉冲电流、能量吸收及防击穿能力。
• 开关器件的实际损耗受开关频率、负载电流、栅驱条件与寄生电感影响，建议在样机验证时测量温升与效率并据此调整驱动与滤波策略。

如需完整电气特性曲线、热阻数据及典型应用参考电路，请参阅英飞凌官方数据手册或联系供应商获取样品与技术支持。