型号:

EL452(TA)-VG

品牌:EVERLIGHT(台湾亿光)
封装:SOP-4-2.54mm
批次:23+
包装:REEL
重量:-
其他:
-
EL452(TA)-VG 产品实物图片
EL452(TA)-VG 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 达林顿晶体管 150mA 1.2V
库存数量
库存:
2680
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.967
3500+
0.916
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型达林顿晶体管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流150mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)4V
负载电压350V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))1.2V@20mA,100mA
上升时间(tr)80us@20mA,100Ω
下降时间10us@20mA,100Ω
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值1000%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值2000%
总功耗(Pd)170mW
正向电流(If)60mA

EL452(TA)-VG 产品概述

一、产品简介

EL452(TA)-VG 是 EVERLIGHT(台湾亿光)推出的一款高隔离电压、低速但高灵敏度的直流输入达林顿晶体管输出光耦。该器件采用 SOP-4(2.54 mm)封装,输入为 LED(DC),输出为达林顿晶体管结构,适合用于需要电气隔离且要求较大输出电流驱动能力的场合。器件额定隔离电压为 3.75 kVrms,工作温度范围 -55℃ ~ +110℃,可靠性高,适合工业和通讯设备使用。

二、主要特性

  • 隔离电压:3.75 kVrms,满足工业级隔离需求。
  • 输出类型:达林顿晶体管,单通道输出,最高输出电流可达 150 mA。
  • 电流传输比(CTR):最小值 1000%,饱和值/最大值可达 2000%,灵敏度高。
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):1.2 V(测试条件 20 mA 输入,100 mA 输出)。
  • 输入正向压降 Vf:1.2 V(典型,随 If 变化)。
  • 输入直流反向耐压 Vr:4 V。
  • 上升/下降时间:tr = 80 µs、tf = 10 µs(在 If=20 mA、负载 100 Ω 条件下),为低速信号隔离器件。
  • 最大总功耗 Pd:170 mW,负载电压最高支持 350 V。
  • 封装:SOP-4,脚距 2.54 mm。

三、适用场景

  • MCU 与高压或噪声电路之间的逻辑隔离与信号传输。
  • 工业控制输入接口、PLC 模块、传感器隔离输入。
  • 需要较大输出驱动电流的模拟开关、继电器/小型电磁阀驱动前级(注意功耗限制)。
  • 家电和电源管理电路中的安全隔离与接口电路。

四、使用要点与设计建议

  • 虽然 CTR 高,但器件输出电流受最大输出电流 150 mA 与 Pd 限制,实际应用时应确保不超过额定值。
  • 对于常见的逻辑接口(如 5 V 或 12 V 拉高),可按所需输出电流计算上拉电阻:R = (VCC - VCE(sat)) / Ic。建议以较保守的 Ic 选型,避免长期过载。
  • 输入侧 LED 反向耐压 Vr = 4 V,注意在电路中加入反向保护二极管或限流电阻,防止误接导致 LED 反向击穿。
  • 器件速度较慢(上升/下降时间以十微秒级为主),不适合高速数据总线或 PWM 高频调制用途。适用于开/关和慢速信号隔离。
  • 关注功耗与温度:Pd = 170 mW,工作环境高温时需预留安全余量,必要时采用分散热量的 PCB 布局或并行降低单器件负载。

五、典型电路与注意事项

  • 输入端直接以限流电阻驱动 LED(If 推荐 20 mA 常见测试条件),并可并联反向保护二极管。
  • 输出端采用上拉电阻与被隔离电路连接,上拉电阻值根据目标电压与所需输出电流计算。若需驱动更大负载,应使用达林顿输出去驱动继电器驱动器或功率晶体管作为后级。
  • 在高压侧(最高 350 V 额定)使用时,注意爬电距离和 PCB 安全间距设计,符合相关安全标准。

六、选型与替代考虑

  • 若需求以更高开关速度为主,可考虑高速光耦或晶体管输出的非达林顿类型。
  • 若需要更大持续输出电流或更低 VCE(sat),可选择带有驱动器或 MOSFET 输出的隔离器。
  • 对于一般工业隔离输入/输出、PLC 接口、MCU 电平移位与安全隔离,EL452(TA)-VG 以其高 CTR、较大输出驱动能力及高隔离电压,提供了性价比较优的解决方案。

如需电气原理图、典型应用电路图或详细参数曲线(如 CTR 随 If 的变化曲线、温度特性等),可参考 EVERLIGHT 官方数据手册或联系代理商获取完整资料。