型号:

FOD814ASD

品牌:ON(安森美)
封装:SMD-4P
批次:24+
包装:编带
重量:0.541g
其他:
-
FOD814ASD 产品实物图片
FOD814ASD 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 AC,DC 光电三极管 50mA 1.2V
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.968
1000+
0.893
产品参数
属性参数值
输入类型AC,DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
负载电压70V
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@1mA,20mA
上升时间(tr)4us@2mA,100Ω
下降时间3us
工作温度-55℃~+105℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值150%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

FOD814ASD 产品概述

一、产品简介

FOD814ASD 是安森美(ON Semiconductor)生产的一款晶体管输出光电耦合器,采用 SMD-4P 封装,支持交流(AC)和直流(DC)输入。器件内部由红外发光二极管驱动光电三极管,实现高电压隔离与信号传输,适用于需要电气隔离的接口、驱动和检测场合。

二、主要参数

  • 输入类型:AC、DC
  • 输出类型:光电三极管(晶体管输出)
  • 正向压降 Vf:典型 1.2 V
  • 最大输出电流(集电极电流 IC):50 mA
  • 隔离电压 Vrms:5 kV(绝缘安全隔离能力)
  • 允许负载电压:70 V
  • 集电极—发射极饱和电压 VCE(sat):约 100 mV(测试条件如 IC/If 在常用区间)
  • 电流传输比(CTR):最小 50%,典型/最大可达 150%
  • 上升/下降时间:tr ≈ 4 μs(@ If=2 mA, RL=100 Ω),tf ≈ 3 μs
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +105 ℃
  • 总功耗 Pd:200 mW(器件最大耗散)
  • 允许正向电流 If(峰值/连续需参照应用):可至 50 mA(注意热耗散与寿命)

三、关键特性

  • 高隔离电压(5 kVrms),适合隔离要求严格的电源与信号链路。
  • 光电三极管输出可直接驱动下游逻辑或功率器件(在规格范围内)。
  • 低 VCE(sat)(约 100 mV),在导通时压降小、功耗低。
  • 宽 CTR 范围(50%–150%),可根据输入电流调整输出电平,灵活性高。
  • 快速开关性能(μs 级),适合较高频率的信号隔离场合。

四、典型应用

  • MCU/逻辑电平隔离与通信接口
  • 开关电源、功率模块的驱动隔离与反馈检测
  • 工业控制信号隔离(PLC 输入/输出)
  • 测试测量设备、继电器驱动和保护电路
  • 需要 AC 或 DC 输入的光电隔离场合

五、典型接线与使用注意

  • 输入端加限流电阻 R:R = (Vsource − Vf) / If。例如 5 V 输入、期望 If = 20 mA,则 R ≈ (5 − 1.2) / 20 mA ≈ 190 Ω。
  • 输出侧负载与拉电阻须满足最大允许负载电压 70 V 与总功耗 Pd 限制。
  • 依据 CTR 计算输出电流:IC ≈ CTR × If(例如 If=10 mA 时,CTR=50% → IC≈5 mA;CTR=150% → IC≈15 mA)。
  • 虽然 If 可达 50 mA,但长时间大电流驱动会增加发热并影响寿命,应在 Pd 限制下适当降额使用并加以散热。
  • 为保证可靠隔离,应遵守清洁、爬电距离及母线绝缘规范,焊接后进行必要的耐压测试。

六、封装与可靠性

SMD-4P 表面贴装封装,适合自动贴片与回流焊工艺。器件在 -55 ℃ 到 +105 ℃ 的高低温环境中保持工作稳定,适合工业级应用。

七、选型要点与建议

  • 若需更高输出驱动能力或更快开关速度,可在选择时比较 CTR、tr/tf 与 Pd 指标。
  • 对于安全等级或长距离隔离,应确认系统的绝缘需求,FOD814ASD 的 5 kVrms 提供较好的隔离裕度。
  • 实际设计中,优先按最差情形(CTR 最小、环境最高温)进行电流与功耗评估,确保可靠工作。

总结:FOD814ASD 以其高隔离电压、低饱和压降、宽 CTR 范围和紧凑 SMD 封装,适合各类需要电气隔离且对开关速度和输出能力有中等要求的工业与消费类应用。在设计中应结合功耗与热管理进行合理降额以获得最佳可靠性。