SVF4N90F 产品概述

一、基本概述

SVF4N90F 是士兰微（SILAN）出品的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，适用于中高压开关场合。器件耐压 Vdss = 900V，适合用于反激、PFC、开关电源主开关和高压开关管阵列等场景。封装为 TO-220F，便于直插安装并结合散热器或绝缘支撑使用。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：900V
• 连续漏极电流 Id：4A
• 导通电阻 RDS(on)：2.7Ω @ Vgs=10V
• 耗散功率 Pd：44W
• 阈值电压 Vgs(th)：4V @ 250µA
• 栅极电荷 Qg：17nC @10V
• 输入电容 Ciss：707pF；输出电容 Coss：68pF；反向传输电容 Crss：3pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：TO-220F（塑封带绝缘/全塑型）

三、关键性能解读与设计参考

• RDS(on)=2.7Ω 表明器件适合低到中等电流、需要高电压耐受的场合；P_loss = I^2·R 表明若按 4A 连续载流，导通损耗约 43.2W，接近器件 Pd 标称值，实际应用必须依赖良好散热或采用脉冲工作方式。
• 阈值电压 4V（250µA）说明该管非逻辑电平型，建议栅极驱动电压采用 10V 以保证较低的导通阻抗。
• 栅极电荷 Qg=17nC 与 Ciss=707pF 指出在高开关频率下对栅极驱动能力有一定要求。示例：若开关频率 100kHz，栅极驱动损耗约 Qg·Vgs·f = 17nC·10V·100kHz ≈ 0.017W（单次开关能量小，但瞬时峰值电流要求驱动器能提供较大充放电电流）。

四、热管理与可靠性建议

• 尽量使用带散热片的 TO-220F 安装方式，并保证良好的热阻路径；若无外加散热，器件容易超出安全结温。
• 在系统设计中应计算实际结温，考虑 PCB 导热、散热器面积及环境温度，避免长期在 Pd 限值点工作。
• 对于连续工作，应将器件持续导通损耗控制在合理范围（例如希望导通损耗 ≤5W，则最大连续电流约 √(5/2.7) ≈1.36A），高电流场合建议并联或选用低 RDS(on) 的器件。

五、驱动与开关注意事项

• 推荐栅极驱动电压 10V 以获得标称 RDS(on)。避免仅以 5V 或更低电压驱动（阈值偏高导致导通不足）。
• 采用适当的栅极电阻（Rg）抑制振荡和控制 dv/dt，同时在开关瞬态加入缓冲或驱动阻尼。
• Crss=3pF 较小，有利于降低米勒电容引起的开关延迟和误触发，但 Ciss 较大，栅极驱动器需能提供瞬态充电电流。

六、典型应用与注意事项

• 适用于反激式/正激式开关电源主开关、功率因数校正（PFC）高压级、荧光/LED 驱动器、高压开关、保护电路等。
• 高压开关应配合吸收/缓冲电路（RC/TVS/缓冲二极管）以限制 Vds 过冲，防止瞬态超压触发击穿。
• 在需要高频高效率的场合，考虑该器件的 RDS(on) 较大，可能造成效率损失，应权衡使用成本与性能或选择更低 RDS(on) 的替代品。

七、封装与安装提示

• TO-220F 便于手工焊接和更换，安装时注意绝缘垫和热阻，必要时使用绝缘垫与螺栓固定散热器并涂覆适当导热硅脂。
• 遵循器件厂商关于最大发热、回流焊温度和机械应力的建议，确保长期可靠性。

总结：SVF4N90F 以 900V 高耐压和中等电流规格适配多种高压开关场合，设计时需重点关注散热、栅极驱动以及瞬态过压保护，合理选择应用拓扑与工作点可发挥其稳定、高压耐受的特点。