SVDZ24NT 产品概述

一、产品简介

SVDZ24NT 是士兰微（SILAN）推出的一款中功率 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适用于开关电源、马达驱动、DC-DC 转换器和通用功率开关场合。器件以 55V 的耐压等级和较低的导通电阻为基础，在中等电流与中频率切换场景中表现良好，同时封装便于散热与安装。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源耐压 Vdss：55 V
• 连续漏极电流 Id：17 A（具体值受散热条件限制）
• 导通电阻 RDS(on)：45 mΩ @ Vgs = 10 V
• 最大耗散功率 Pd：45 W（额定散热条件下）
• 阈值电压 Vgs(th)：4 V @ Id = 250 μA
• 栅极总电荷 Qg：10.5 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：400 pF
• 输出电容 Coss：130 pF
• 反向传输电容 Crss：12.5 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：TO-220
• 数量：1 个（单只规格）

三、特点与优势

• 55V 耐压适合 48V 级别电源与汽车电子低压边应用。
• RDS(on) 45 mΩ 在 Vgs = 10V 驱动下导通损耗较低，适合中等电流负载。
• 较小的 Qg（10.5 nC）与中等 Ciss、Coss 有利于在有限驱动能力下实现合理切换速度与开关损耗折衷。
• TO-220 封装便于安装散热片，良好的热耗散能力（Pd = 45 W，需配合散热器使用）。

四、典型应用场景

• 开关电源与隔离式/非隔离式 DC-DC 转换器
• 电机驱动与电源管理电路（中小功率）
• 电池保护与电源切换
• 通用功率开关、继电器替代场合

五、设计要点与使用建议

• 推荐栅极驱动电压 10 V，以达到标称 RDS(on)。阈值为 4 V，低电压驱动下导通损耗显著上升。
• 根据 Qg 计算驱动器能力：例如在高开关频率下需保证驱动器能提供足够瞬时电流以实现快速上/下栅极充放电，避免过长的过渡耗损。
• 建议在栅极串联 5–47 Ω 的阻尼电阻，用以控制开关速度、抑制振铃并降低 EMI；并在栅源并联 100 kΩ 级的泄放电阻以防误触发。
• 漏极电流 17 A 为在良好散热条件下的连续额定值，实际使用时需根据散热器与环境温度进行热结点（Tj）与功率耗散的降额计算。
• 注意器件内置体二极管的反向恢复特性，必要时在高 dv/dt 或能量回收场合增加缓冲电路或阻尼网络。

六、封装与热管理

TO-220 封装便于通过螺栓固定至散热片。为接近标称 Pd，建议使用合适的散热片或铜柱，通过焊盘与导线尽量缩短电流回路以降低寄生电感与热阻。高温环境或连续高电流应用需按厂商热阻与结温规格进行降额设计。

七、可靠性与注意事项

• 工作结温上限接近 175 ℃，但长期工作应保证结温留有余量以延长寿命。
• 在并联使用多只 MOSFET 时，应考虑件间均流措施（源侧小阻值或并联电感）以及匹配机制。
• 选型与最终设计请参照完整器件数据手册，关注动态特性、SOA（安全工作区）与热阻参数。

以上为 SVDZ24NT 的产品概述与实际设计建议。具体电路应用中，应结合实际工作条件、散热方案与系统拓扑进行详细仿真与验证。