TPH2R306NH,L1Q(M) 产品概述

一、产品简介

TPH2R306NH,L1Q(M) 是东芝（TOSHIBA）推出的一款高电流、低导通损耗的 N 沟道功率 MOSFET。其主要电气参数包括：漏源耐压 Vdss = 60V，连续漏极电流 Id = 60A，典型导通电阻 RDS(on) = 1.9mΩ@Vgs=10V。器件适用于需要大电流开关且对导通损耗敏感的功率管理场合。

二、主要特性

• 低导通电阻：RDS(on) 仅 1.9mΩ（Vgs=10V），有利于降低导通损耗和发热。
• 高电流能力：额定连续电流 60A，适合中低压大电流应用。
• 开关特性：栅极总电荷 Qg = 72nC（Vgs=10V），输入电容 Ciss = 4.7nF，输出电容 Coss = 1.5nF，反向传输电容 Crss = 55pF；这些参数决定了开关能量与驱动需求。
• 功率耗散：Pd = 78W（在适当散热条件下），封装为 SOP-8，便于表面贴装与批量生产。

三、驱动与开关建议

由于 Qg 较大（72nC），推荐使用能够提供足够峰值电流的栅极驱动器，驱动电压以 10–12V 为宜以确保低 RDS(on)。为控制开关过渡损耗与振铃，通常在栅极串联 2–10Ω 的门阻，并在电源侧加置合适的去耦电容。布局上尽量缩短栅极与源极回路，减小寄生电感。

四、热管理与封装注意

SOP-8 封装在高功耗条件下对 PCB 散热要求较高。建议使用大面积铜箔、过孔阵列以及靠近器件的散热层，并尽量采用回流焊工艺保证热接触。器件额定功耗 78W 需在实际应用中根据环境温度和 PCB 热阻重新评估，以免超过额定结温。

五、典型应用

适合用于：DC-DC 降压或同步整流、逆变器低侧开关、电机驱动、开关电源主开关或箝位电路，以及电源分配开关等需要低导通损耗与高电流能力的场景。

六、并联与可靠性建议

若需更高电流，可并联多枚器件。并联时注意匹配栅极驱动与散热，适当增加源串电阻以改善电流共享。设计时关注器件的安全工作区（SOA）与短路耐受能力，整体方案应包含过流与过温保护。

如需原厂完整数据手册或封装热阻、SOA 等详细规范，可提供进一步获取建议。